[发明专利]电容器装载型半导体器件无效
| 申请号: | 200680028039.8 | 申请日: | 2006-08-09 |
| 公开(公告)号: | CN101233614A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
| 发明(设计)人: | 山本宪一;末次大辅;光明寺大道 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/12 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;陈海红 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电容器 装载 半导体器件 | ||
1.一种电容器装载型半导体器件,其特征在于,包括:
半导体芯片,其设置有多个电极端子;
薄片状基板,其至少具有膜状电容器;和
安装基板,其在一方的表面,具有与所述半导体芯片的所述电极端子相对应地配置的芯片连接端子和与所述薄片状基板的所述膜状电容器的一方的电极端子相对应地配置的接地端子,在另一方的表面,具有与所述芯片连接端子和所述接地端子相连接、用于安装到外部基板的外部连接端子;
其中,所述薄片状基板被插入在所述半导体芯片与所述安装基板之间;
所述半导体芯片的所述电极端子与所述芯片连接端子被连接起来;
所述膜状电容器的所述一方的电极端子与所述接地端子相连接,另一方的电极端子与所述半导体芯片的所述电极端子中预先设定的电极端子相连接。
2.如权利要求1所述的电容器装载型半导体器件,其特征在于:
当在所述安装基板上配置了所述薄片状基板、在所述薄片状基板上配置了所述半导体芯片时,所述薄片状基板与所述安装基板具有:所述膜状电容器的所述一方的电极端子、所述另一方的电极端子、所述安装基板的所述芯片连接端子和所述接地端子分别露出的形状;
所述半导体芯片的所述电极端子与所述芯片连接端子、所述膜状电容器的所述一方的电极端子与所述接地端子、以及所述膜状电容器的所述另一方的电极端子与所述半导体芯片的所述电极端子,分别通过引线而连接。
3.如权利要求1所述的电容器装载型半导体器件,其特征在于:
所述半导体芯片,在所述电极端子的表面进一步设置有突起电极;
所述薄片状基板,在与所述突起电极相对应的位置具有贯通孔,所述一方的电极端子以及所述另一方的电极端子延伸到所述贯通孔;
所述薄片状基板被粘贴在所述半导体芯片的所述突起电极形成面,并且在所述薄片状基板的所述贯通孔中插入有所述半导体芯片的所述突起电极;
比所述薄片状基板突出的所述突起电极与所述芯片连接端子被连接起来。
4.如权利要求1所述的电容器装载型半导体器件,其特征在于:
所述半导体芯片,在所述电极端子的表面进一步设置有突起电极;
所述薄片状基板中,所述一方的电极端子以及所述另一方的电极端子延伸到所述半导体芯片的预先设定的所述电极端子的形成区域,并且在所述区域的所述薄片状基板,设置有插入所述突起电极的贯通孔;
所述薄片状基板被粘贴在所述半导体芯片的所述突起电极形成面,并且在所述薄片状基板的所述贯通孔中插入有所述半导体芯片的预先设定的所述突起电极;
比所述薄片状基板突出的所述突起电极与所述芯片连接端子被连接起来。
5.如权利要求3所述的电容器装载型半导体器件,其特征在于:所述薄片状基板具有与所述半导体芯片相同的外形。
6.如权利要求4所述的电容器装载型半导体器件,其特征在于:所述薄片状基板具有比所述半导体芯片的外形小的外形,所述薄片状基板的至少设置有所述贯通孔的部分被设置成延伸到所述半导体芯片的外形。
7.如权利要求3所述的电容器装载型半导体器件,其特征在于:所述一方的电极端子以及所述另一方的电极端子,通过连接所述突起电极和所述芯片连接端子的导电性连接部件,与所述突起电极和所述芯片连接端子的连接时同时地,被连接到所述接地端子以及预先设定的所述电极端子。
8.如权利要求1所述的电容器装载型半导体器件,其特征在于:形成在所述薄片状基板的所述膜状电容器,形成在所述薄片状基板的两个面。
9.如权利要求1所述的电容器装载型半导体器件,其特征在于:
所述薄片状基板,进一步包括与所述膜状电容器相连接的膜状电感器或者膜状电阻器;
所述膜状电感器或者所述膜状电阻器具有第一电极端子和第二电极端子,所述第一电极端子被连接到所述半导体芯片的所述电极端子中的预先设定的电极端子,并且所述第二电极端子被连接到所述膜状电容器的所述另一方的电极端子。
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