[发明专利]半导体元件和电气设备

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

场效应晶体管，该场效应晶体管具有：半导体层、在该半导体层上以包括该半导体层的上面的方式形成的第一导电型的第一源极/漏极区域、在所述半导体层上以包括所述上面和所述第一源极/漏极区域的方式形成的第二导电型区域、在所述半导体层上以包括所述上面和所述第二导电型区域的方式形成的第一导电型的漂移区域、以至少与所述第一源极/漏极区域的所述上面连接的方式设置的第一源/漏电极、以隔着栅极绝缘膜至少与所述第二导电型区域的所述上面相对的方式设置的栅电极、和欧姆连接于所述漂移区域的第二源/漏电极；

在所述漂移区域的所述上面，以与该上面形成肖特基结的方式设置的肖特基电极；

覆盖设置有所述第一源/漏电极、栅电极和肖特基电极的所述半导体层的上面的层间绝缘膜；和

在所述层间绝缘膜之上配设的、与所述第一源/漏电极、栅电极和肖特基电极中的至少一个电连接的多个接合垫，

所述多个接合垫中的至少一个以位于所述肖特基电极的上方的方式配设。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：

所述源电极以与所述源极区域和第二导电型区域的所述上面连接的方式设置。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：

所述第一导电型是n型，所述第二导电型是p型。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：

所述半导体层由宽禁带半导体构成。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：

所述半导体层在俯视时通过假想的分界线分割成多个单元，

以在所述多个单元中延展的方式形成有漂移区域和漏电极，

所述多个单元由其中形成有所述场效应晶体管的晶体管单元，和其中形成有所述肖特基电极的二极管单元构成，

所述接合垫位于所述二极管单元的所述肖特基电极的上方。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于：

在俯视时，在多个所述晶体管单元之间岛状地配置有一个以上的所述二极管单元，所述接合垫位于该岛状地配置的一个以上的二极管单元的上方。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于：

所述多个接合垫通过导线相互连接。

8.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：

所述接合垫具有边长为0.3mm以上的四边形的形状。

9.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于：

全部的所述晶体管单元的俯视时的面积相对所述半导体元件的俯视时的面积的比例为50％以上且99％以下。

10.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于：

所述肖特基电极的面积相对所述半导体元件的俯视时的面积的比例为1％以上且50％以下。

11.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于：

所述二极管单元的所述肖特基电极的面积比所述晶体管单元的所述第二导电型区域的俯视时的面积大。

12.一种电气设备，其特征在于，包括：

交流驱动装置；和构成该交流驱动装置的逆变电源电路的权利要求1～11中任一项所述的半导体元件，

所述半导体元件作为臂模块被插入。

13.如权利要求12所述的电气设备，其特征在于：

基于由所述交流驱动装置内的电感负载产生的反电动势，而施加于所述场效应晶体管的寄生二极管和所述肖特基二极管的电压，比所述肖特基二极管的正方向的上升沿电压大，并且比所述寄生二极管的正方向的上升沿电压小。

14.如权利要求12所述的电气设备，其特征在于：

所述交流驱动装置是由所述逆变电源电路驱动的交流电动机。