[发明专利]铜钝化的化学机械抛光后清洗组合物及使用方法

权利要求书

1.一种碱性水性清洗组合物，其包含至少一种胺、至少一种钝化剂、任选的至少一种季碱、任选的至少一种还原剂、和水，其中所述碱性水性清洗组合物适合于从其上具有化学机械抛光(CMP)后残留物和污染物的微电子器件上清洗所述残留物和污染物。

2.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其包含所述至少一种还原剂。

3.权利要求2的碱性水性清洗组合物，其包含抗坏血酸。

4.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其中所述至少一种钝化剂包括选自如下的物质：1，2，4-三唑(TAZ)、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-氨基-5-巯基-1，2，4-三唑、1-氨基-1，2，4-三唑、羟基苯并三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、1-氨基-1，2，3-三唑、1-氨基-5-甲基-1，2，3-三唑、3-氨基-1，2，4-三唑、3-巯基-1，2，4-三唑、3-异丙基-1，2，4-三唑、5-苯基硫醚-苯并三唑、羧基苯并三唑、卤代苯并三唑、萘并三唑、2-巯基苯并咪唑(MBI)、2-巯基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巯基噻唑啉、5-氨基四唑(ATA)、5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇、2，4-二氨基-6-甲基-1，3，5-三嗪、噻唑、三嗪、甲基四唑、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮、1，5-五亚甲基四唑、1-苯基-5-巯基四唑、二氨甲基三嗪、咪唑啉硫酮、4-甲基-4H-1，2，4-三唑-3-硫醇、5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、咪唑、苯并异二唑、苯甲酸、苯甲酸铵、及其组合。

5.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其中所述至少一种钝化剂的存在量有效地使铜静态蚀刻速率为约0.5min^-1至约10min^-1。

6.权利要求2的碱性水性清洗组合物，其还包含至少一种另外的还原剂。

7.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其中胺相对于钝化剂的比例范围为约(2-25)∶(0.05-15)。

8.权利要求6的碱性水性清洗组合物，其中胺相对于全部还原剂的比例范围为约(2-25)∶(0.001-25)。

9.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其中所述至少一种胺包括选自如下的胺化合物：单乙醇胺、N-甲基乙醇胺(NMEA)、氨乙基乙醇胺、N-甲基氨基乙醇、1-氨基-2-丙醇、氨基乙氧基乙醇、二乙醇胺、单异丙醇胺、异丁醇胺、C₂-C₈烷醇胺、三乙撑二胺、及其组合。

10.权利要求9的碱性水性清洗组合物，其还包含选自如下的叔胺：三乙醇胺、甲基二乙醇胺、三乙胺、N，N-二甲基甘醇胺、N，N-二甲基二甘醇胺和五甲基二乙撑三胺。

11.权利要求6的碱性水性清洗组合物，其中所述至少一种另外的还原剂包括选自如下的酸：异抗坏血酸、抗坏血酸衍生物、没食子酸、及其组合。

12.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其包含所述至少一种季碱，其中所述至少一种季碱包括(NR¹R²R³R⁴)OH，其中R¹、R²、R³和R⁴彼此可以相同或不同，并且各自独立地选自氢、C₁-C₁₀烷基和芳基。

13.权利要求12的碱性水性清洗组合物，其中胺相对于季碱的比例范围为约(2-25)∶(0.001-10)。

14.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其中所述至少一种季碱包括四甲基氢氧化铵(TMAH)。

15.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其还包含至少一种表面活性剂。

16.权利要求15的碱性水性清洗组合物，其中胺相对于表面活性剂的比例范围为约(2-25)∶(0.001-1)。

17.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其中所述微电子器件包括选自半导体基片、平板显示器和微机电系统(MEMS)的制品。