[发明专利]包括不连续存储元件的电子器件

权利要求书

1、一种电子器件，包括：

具有第一沟槽的衬底，该第一沟槽包括壁和底部并且从该衬底的主表面 延伸；

不连续存储元件，其中该不连续存储元件的第一部分至少位于该第一沟 槽之内；

第一栅电极，其中该不连续存储元件的第一部分的至少一部分位于该第 一栅电极和该第一沟槽的壁之间；和

在第一栅电极和衬底的主表面之上的第二栅电极。

2、如权利要求1的电子器件，其中第一栅电极具有位于衬底的主表面之 下的上表面。

3、如权利要求2的电子器件，其中第二栅电极至少部分地延伸至第一沟 槽中。

4、如权利要求2的电子器件，进一步包括第三栅电极，其中：

衬底进一步包括与第一沟槽分离的第二沟槽，

其中第二沟槽包括壁和底部并且从衬底的该主表面延伸；

不连续存储元件的第二部分至少位于第二沟槽内；和

第三栅电极具有位于衬底的主表面之下的上表面，其中不连续存储元件的 第二部分的至少一部分位于第三栅电极和第二沟槽的壁之间。

5、如权利要求4的电子器件，进一步包括：

位于在第一沟槽之下的衬底内的第一掺杂区域；和

位于第二沟槽之下的衬底内的第二掺杂区域。

6、如权利要求5的电子器件，进一步包括位于沿第一和第二沟槽之间的 衬底的主表面的第三掺杂区域。

7、如权利要求6的电子器件，其中第三掺杂区域延伸至该第一和第二沟 槽的壁。

8、如权利要求6的电子器件，其中第三掺杂区域从第一和第二沟槽的壁 分离。

9、如权利要求5的电子器件，进一步包括：

第一电荷存储区域，包括不连续存储元件的第一部分内的第一不连续存储 元件，其中与第一掺杂区域相比，第一不连续存储元件离该第一栅电极的上表 面更近；和

第二电荷存储区域，包括不连续存储元件的第二部分内的第二不连续存储 元件，其中与第二掺杂区域相比，第二不连续存储元件离该第三栅电极的上表 面更近，并且其中第二电荷存储区域从该第一电荷存储区域分离。

10、如权利要求4的电子器件，其中第二栅电极在第一栅电极、第三栅电 极和第一和第二沟槽之间的部分衬底之上。

11、如权利要求4的的电子器件，进一步包括第四栅电极，其中：

第二栅电极位于第一和第二沟槽之间的第一部分衬底和第一栅电极之上； 和

第四栅电极位于第一和第二沟槽之间的第二部分衬底和第三栅电极之上。

12、如权利要求1的电子器件，进一步包括：

位于沿第一沟槽的壁和底部的第一电介质层；和

位于不连续存储元件的第一部分和第一栅电极之间的第二电介质层。

13、如权利要求1的电子器件，其中该不连续存储元件包括硅纳米晶体或 金属纳米团簇。

14、如权利要求1的电子器件，进一步包括阵列，其中：

该衬底包括多个沟槽，包括第一沟槽；和

在阵列之内，不连续存储元件位于衬底的各沟槽之内。

15、如权利要求14的电子器件，进一步包括位于第一栅电极之上的第一 电介质层并且包括第一沟槽内的上表面，其中：

不连续存储元件的第一部分从该衬底的主表面分离；和

在阵列之内的沟槽之间的衬底的主表面上方基本上没有不连续存储元件。

16、如权利要求1的电子器件，其中从横截面视图看，第一栅电极具有基 本上矩形的形状。

17、如权利要求1的电子器件，其中从横截面视图看：

第一栅电极包括各部分；和

第一栅电极的所述各部分包括互相面对的弯曲外部表面。