[发明专利]制备多孔有轨道膜件的方法

权利要求书

1.生产可用于从流体中分离材料的多孔有轨道膜件的方法，其包括以下步骤：

a)使聚合物膜暴露到重离子轰击以提供具有轨道密度的所述膜；和

b)用蚀刻溶液在保持紊流的条件下在所得到的有轨道膜中蚀刻出孔，以使所述膜具有和所述轨道密度相应的孔密度。

2.权利要求1所述的方法，其中所述重离子选自以下离子：氪、氩、氙、铋及其组合。

3.权利要求1所述的方法，其中所述轨道密度的范围为约10⁷cm^-2-约10⁹cm^-2。

4.权利要求1所述的方法，其中所述孔的直径范围为约0.01-约1.mu.m。

5.权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻溶液是碱性溶液。

6.权利要求5所述的方法，其中所述聚合物膜是含氟聚合物膜。

7.权利要求6所述的方法，其中所述含氟聚合物膜是聚偏1，1-二氟乙烯。

8.权利要求7所述的方法，其中所述碱性溶液是高锰酸钾碱性溶液。

9.权利要求8所述的方法，其中所述碱性溶液还含有碱金属盐，其浓度足以将所得含碱金属溶液的沸点增大至约100-约150℃的温度。

10.权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻是在大于100℃的温度进行的。

11.权利要求10所述的方法，其中所述蚀刻溶液以一定流速接触通过所述有轨道膜以产生约100-约500的雷诺数。

12.权利要求11所述的方法，其中所述蚀刻进行约1-约24小时的时间。

13.权利要求12所述的方法，其中至少所述温度、流速和时间是受到控制的，以使蚀刻步骤在蚀刻溶液过热不大于10℃下进行。

14.权利要求13所述的方法，其中所述碱金属盐是氯化钠。

15.生产可用于从流体中分离材料的多孔有轨道膜件的方法，其包括以下步骤：

a)使含氟聚合物膜暴露到重离子轰击以使所述膜具有轨道密度；

b)将所得的有轨道膜切成多个独立的部分；和

c)在保持紊流条件下用蚀刻溶液蚀刻所述部分的有轨道膜以使所述部分的膜具有对应于所述轨道密度的孔密度。

16.权利要求15所述的方法，其中所述重离子选自以下离子：氪、氩、氙、铋及其组合。

17.权利要求16所述的方法，其中所述轨道密度的范围为约10⁷cm^-2-约10⁹cm^-2。

18.权利要求17所述的方法，其中所述孔的直径范围为约0.01-约1.mu.m。

19.权利要求18所述的方法，其中所述蚀刻溶液是在碱性溶液中。

20.权利要求19中所述的方法，其中所述含氟聚合物膜是聚偏1，1-二氟乙烯。

21.权利要求20所述的方法，其中所述碱性溶液是高锰酸钾碱性溶液。

22.权利要求21所述的方法，其中所述碱性溶液还含有碱金属盐，其浓度足以将所得含有碱金属的溶液的沸点增大至约100-约150℃范围内的温度。

23.权利要求22所述的方法，其中所述蚀刻是在大于100℃的温度进行。

24.权利要求23所述的方法，其中所述蚀刻溶液以一定流速接触通过所述有轨道膜以产生约100-约500的雷诺数。

25.权利要求24所述的方法，其中所述蚀刻进行约1-约24小时的时间。

26.权利要求25所述的方法，其中所述温度、流速和时间条件是受到控制的，以使蚀刻步骤在蚀刻溶液过热不大于1℃下进行。

27.权利要求26所述的方法，其中所述碱金属盐是氯化钠。