[发明专利]半导体处理的方法和装置

权利要求书

1.一种用于制造半导体的集成制程工具，其至少包含：

第一制程工具，具有至少一传送处理室以及至少一负载锁定，该负载锁定是连接该传送处理室；

第二制程工具，具有至少一传送处理室；以及

至少一中间处理室，连接至该第一制程工具以及该第二制程工具；

其中至少五个制程处理室是连接至该传送处理室。

2.如权利要求1所述的集成制程工具，其中各传送处理室是通过数个狭口阀连接至该至少一中间处理室。

3.如权利要求1所述的集成制程工具，其中该第一制程工具包含单一叶片机械臂。

4.如权利要求3所述的集成制程工具，其中该第二制程工具包含双叶片机械臂。

5.如权利要求1所述的集成制程工具，其中该第一制程工具具有两个负载锁定处理室。

6.如权利要求1所述的集成制程工具，其中该至少五个制程处理室是由六个制程处理室所组成。

7.如权利要求1所述的集成制程工具，其中该至少五个制程处理室是由七个制程处理室所组成。

8.如权利要求1所述的集成制程工具，其中该至少五个制程处理室是由八个制程处理室所组成。

9.如权利要求1所述的集成制程工具，其中该至少五个制程处理室是由九个制程处理室所组成。

10.如权利要求1所述的集成制程工具，更包括至少一检修处理室(service chamber)。

11.如权利要求10所述的集成制程工具，其中该至少一检修处理室是至少为一度量处理室(metrology chamber)。

12.一种用于制造半导体的集成制程工具，其至少包含：

第一传送处理室，经配置以支撑数个制程处理室；

第二传送处理室，经配置以支撑数个制程处理室；

至少一负载锁定处理室，与该第一传送处理室连通；

至少一中间处理室，由该第一传送处理室及该第二传送处理室支撑；以及

至少五个制程处理室，与该第一及第二传送处理室连通。

13.如权利要求12所述的集成制程工具，其中各中间处理室是通过数个狭口阀，接附至该第一及第二传送处理室。

14.如权利要求12所述的集成制程工具，更包括至少一个单一叶片机械臂。

15.如权利要求12所述的集成制程工具，其中各中间处理室可通过由至少两机械臂存取，以传送至至少五个制程处理室的任一个。

16.如权利要求12所述的集成制程工具，其具有至少两个负载锁定处理室。

17.如权利要求12所述的集成制程工具，其中该至少五个制程处理室为六个制程处理室。

18.如权利要求12所述的集成制程工具，其中该至少五个制程处理室为七个制程处理室。

19.如权利要求12所述的集成制程工具，其中该至少五个制程处理室为八个制程处理室。

20.如权利要求12所述的集成制程工具，其中该至少五个制程处理室是由九个制程处理室所组成。

21.如权利要求12所述的集成制程工具，更包括至少一个检修处理室。

22.如权利要求12所述的集成制程工具，其中该至少一个检修处理室为至少一个度量处理室。

23.一种用于沉积高介电常数薄膜的方法，其至少包含：

于第一制程处理室中的基材上，沉积基底氧化物；

对第二及第三制程处理室中该基材的表面，提供去耦合等离子硝化；

于第四制程处理室中，对该基材表面进行退火；以及

于至少一第五制程处理室中，沉积多晶硅，

其中该第一、第二、第三、第四及第五制程处理室是与共同中间处理室流体连通。

24.一种沉积一高介电常数薄膜的方法，其至少包含：

于第一制程处理室中的基材上，沉积基底氧化物；

对第二及第三制程处理室中该基材的表面，提供去耦合等离子硝化；

于第四制程处理室中，对该基材表面进行退火；

对第五及第六制程处理室中该基材的表面，提供去耦合等离子硝化；

于第七制程处理室中，对该基材表面进行退火；

于第八制程处理室中，提供原子层沉积；以及

其中该第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七及第八制程处理室是与共同中间处理室流体连通。