[发明专利]聚硅氧烷及其制造方法无效
| 申请号： | 200680026131.0 | 申请日： | 2006-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101248106A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 小川琢哉;今井纮平;大岛义人 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁东丽株式会社;国立大学法人东京大学 |
| 主分类号： | C08G77/06 | 分类号： | C08G77/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚硅氧烷 及其 制造 方法 | ||
1.聚硅氧烷的制造方法，其特征在于：在200℃以上的温度、2.5MPa以上的压力条件下使平均组成式(A)所示的含硅化合物和水的混合物进行水解-缩合反应，
R1a(R2O)bSiO[(4-a-b)/2] (A)
式中，R1为相同或不同的取代或未取代的一价烃基，R2为碳原子数4以下的一价烃基，a、b为分别满足0≤a≤3、0＜b≤4、并且0＜a+b≤4的数。
2.聚硅氧烷的制造方法，其特征在于：在200℃以上的温度、0.5MPa以上的压力条件下使平均组成式(B)所示的含硅化合物进行缩合反应，
R1c(R2O)d(HO)eSiO[(4-c-d-e)/2] (B)
式中，R1为相同或不同的取代或未取代的一价烃基，R2为碳原子数4以下的一价烃基，c、d、e为分别满足0≤c≤2、0＜d≤3、0＜e≤2、并且0＜c+d+e≤4的数。
3.聚硅氧烷的制造方法，其特征在于：在200℃以上的温度、0.5MPa以上的压力条件下使平均组成式(B)所示的含硅化合物和水的混合物进行水解-缩合反应，
R1c(R2O)d(HO)eSiO[(4-c-d-e)/2] (B)
式中，R1为相同或不同的取代或未取代的一价烃基，R2为碳原子数4以下的一价烃基，c、d、e为分别满足0≤c≤2、0＜d≤3、0＜e≤2、并且0＜c+d+e≤4的数。
4.聚硅氧烷的制造方法，其特征在于：在200℃以上的温度、0.5MPa以上的压力条件下使平均组成式(A)所示的含硅化合物和平均组成式(C)所示的含硅化合物的混合物进行缩合反应，
R1a(R2O)bSiO[(4-a-b)/2] (A)
式中，R1为相同或不同的取代或未取代的一价烃基，R2为碳原子数4以下的一价烃基，a、b为分别满足0≤a≤3、0＜b≤4、并且0＜a+b≤4的数，
R1f(HO)gSiO[(4-f-g)/2] (C)
式中，R1与上述相同，f、g为分别满足0≤f≤3、0＜g≤3、并且0＜f+g≤4的数。
5.聚硅氧烷的制造方法，其特征在于：在200℃以上的温度、0.5MPa以上的压力条件下使平均组成式(A)所示的含硅化合物和平均组成式(C)所示的含硅化合物和水的混合物进行水解-缩合反应，
R1a(R2O)bSiO[(4-a-b)/2] (A)
式中，R1为相同或不同的取代或未取代的一价烃基，R2为碳原子数4以下的一价烃基，a、b为分别满足0≤a≤3、0＜b≤4、并且0＜a+b≤4的数，
R1f(HO)gSiO[(4-f-g)/2] (C)
式中，R1与上述相同，f、g为分别满足0≤f≤3、0＜g≤3、并且0＜f+g≤4的数。
6.权利要求1、3、5任一项所述的聚硅氧烷的制造方法，其特征在于：边连续地分别将含硅化合物和水供给到反应容器中边使其反应。
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