[发明专利]晶片的双面研磨方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶片的双面研磨方法，特别涉及一种通过改善将研磨剂供给至晶片的供给方法，而能抑制晶片的外周塌边的双面研磨方法。

背景技术

图8是表示公知的双面研磨装置的一例的概略说明图。如图8所示，双面研磨装置201，其使与太阳齿轮206和内部齿轮(internal gear)207互相啮合的载具(carrier，游星承载齿轮)208，通过太阳齿轮206的驱动旋转而一边公转一边自转，并通过使下方磨盘202与上方磨盘203互相逆向旋转，以贴付于上方磨盘、下方磨盘的研磨布204，同时研磨晶片W的双面。

另外，在双面研磨装置201中，设有研磨剂供给机构，将研磨剂(slurry)供给至晶片W，以提高晶片W的研磨效率，且冷却研磨时在下方磨盘202与上方磨盘203产生热。研磨剂供给机构的构成，是使研磨剂从研磨剂槽209，通过研磨剂供给管210、分配器212、研磨剂供给管213，供给至位于上方磨盘203的研磨剂供给孔205，从研磨剂供给孔205的下端开孔向晶片W流出。

公知技术利用这样的双面研磨装置，一边从各供给孔等量均等地供给研磨剂，一边进行晶片的双面研磨。另外，日本专利公开公报特开2004-142040、特开平11-262862中，揭示一种使用双面研磨装置的双面研磨方法，其中关于研磨剂的供给方式，是采用例如压送方式的其它的构成。

但以公知技术的方法或上述揭示的双面研磨方法，进行晶片的双面研磨时，会频繁地发生研磨后的晶片的外周塌边，晶片表面的形状不平坦而发生质量方面的问题。

发明内容

有鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种晶片的双面研磨方法，在进行被处理晶片的双面研磨加工时，能抑制晶片的外周塌边的发生。

为了达成上述目的，本发明提供一种晶片的双面研磨方法，是以贴付研磨布的上方磨盘与下方磨盘包夹保持于载具的晶片，一边从设在该上方磨盘的多个研磨剂供给孔供给研磨剂至该上方磨盘与该下方磨盘之间，一边同时研磨该晶片的双面的形式的晶片的双面研磨方法，其特征为：在双面研磨该晶片时，相对于该上方磨盘的旋转中心，通过使从设在外侧的研磨剂供给孔供给的研磨剂量，大于从设在内侧的研磨剂供给孔供给的研磨剂量，来调整该晶片外周部的研磨量，抑制该晶片的外周塌边。

如此，双面研磨晶片时，若相对于上方磨盘旋转中心，使从设在外侧的研磨剂供给孔供给的研磨剂量，大于从设在内侧的研磨剂供给孔供给的研磨剂量，即可调整研磨的晶片的外周部研磨量，抑制晶片的外周塌边。由此，能进行一种高质量的晶片的双面研磨，可控制外周部的塌边。

特别是通过变更外侧与内侧的研磨剂供给量的比例，即可任意地控制晶片外周部的研磨量。

此时，从设在上方磨盘的外侧的研磨剂供给孔供给的研磨剂量，优选是从设在内侧的研磨剂供给孔供给的研磨剂量的两倍以上。

如此，若从设在上方磨盘的外侧的研磨剂供给孔供给的研磨剂量，是从设在内侧的研磨剂供给孔供给的研磨剂量的两倍以上，则可更确实地抑制晶片的外周塌边，以提供平坦度高的高质量晶片。而且，由于能以更适当的比例，从上方磨盘的内侧与外侧的供给孔，供给研磨剂，亦可因此更进一步改善晶片的生产性。

如实施本发明的双面研磨方法，即可抑制被处理晶片的外周塌边，双面研磨成为高质量晶片。另外，研磨时，由于能够适当地调整上下方磨盘之间的研磨剂供给位置与供给量，所以能够任意地控制外周部的塌边，可提高晶片的生产性。

附图说明

图1是示例本发明所使用的双面研磨装置的概略说明图；

图2是比较例1中的晶片形状的测定图；

图3是比较例2中的晶片形状的测定图；

图4是比较例3中的晶片形状的测定图；

图5是实施例1中的晶片形状的测定图；

图6是实施例2中的晶片形状的测定图；

图7是表示从上方磨盘的内侧与外侧的供给孔供给的研磨剂的比例与晶片的外周塌边量的关系图表；以及

图8是示例公知的双面研磨装置的概略说明图。

其中，附图标记说明如下：

1：双面研磨装置          2：下方磨盘

3：上方磨盘              4：研磨布

5：研磨剂供给孔          5’：研磨剂供给孔

6：太阳齿轮              7：内部齿轮

8：载具(游星承载齿轮)    9：研磨剂槽

10：研磨剂供给管         11：调整阀

11’：调整阀             12：分配器