[发明专利]减少铸模溢料和辅助热嵌条组装的磁助加工无效
申请号: | 200680025125.3 | 申请日: | 2006-05-10 |
公开(公告)号: | CN101553901A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | S·A·库梅尔;B·P·兰格 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 减少 铸模 辅助 热嵌条 组装 加工 | ||
1.一种加工半导体封装件的方法,该方法包括:
在模腔中安置热扩散器;
在所述热扩散器之上安置引线框架;
向所述模腔施加磁场,其中一个或更多个所述热扩散器和引线框架大体被所述磁场吸引到所述模腔的内表面,因此大体迫使所述热扩散器在其接触区紧贴所述模腔的所述内表面;
向所述模腔中注入封装化合物,其中至少部分地由于所施加的磁场,所述封装化合物大体被阻挡进入所述接触区;以及
凝固所述封装化合物。
2.根据权利要求1所述的方法,其中一个或更多个所述引线框架和热扩散器包含顺磁材料。
3.根据权利要求2所述的方法,其中一个或更多个所述引线框架和热扩散器被顺磁涂层覆盖。
4.根据权利要求2或3所述的方法,其中所述顺磁材料包含镍-钯-金化合物。
5.一种由工艺形成的半导体器件,所述工艺包括:
提供其中具有腔室的铸模;
在所述铸模的所述腔室中安置热扩散器;
在所述热扩散器之上安置引线框架;
向所述铸模施加磁场,其中所述引线框架大体易受磁场的影响,以及其中所述引线框架大体压迫位于所述引线框架和所述铸模的表面之间的所述热扩散器;
向所述腔室中注入封装化合物,其中至少部分地,由于所述磁场,所述封装化合物大体被阻止接触所述热扩散器、引线框架及所述铸模之间定义的多个接触面;以及
凝固所述封装化合物。
6.根据权利要求5所述的半导体器件,其中至少部分地,由于其上的镀金属,所述引线框架易于受到所述磁场的影响。
7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中所述镀金属包含镍、钯和金中的一种或多种。
8.一种用于形成半导体封装的模制装置,该模制装置包括:
具有其中定义了模腔的铸模;以及
磁铁,其与所述模腔的一部分相结合且可操作用于将所述半导体封装的一个或更多个顺磁组件基本吸引到所述模腔的表面上。
9.根据权利要求8所述的模制装置,其中所述磁铁被置于所述模腔的底面以下且与所述半导体封装的所述一个或更多个顺磁组件的所需位置相结合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造