[发明专利]加工对象物切断方法

说明书

技术领域

本发明涉及沿着切断预定线将包括基板以及具有多个功能元件并设置在基板的表面上的叠层部的加工对象物切断成各个功能元件的加工对象物切断方法。

背景技术

作为现有的这种技术，有一种激光加工方法，通过将聚光点对准晶片状的加工对象物的内部，照射激光，从而在加工对象物的内部形成多列沿着切断预定线的改质区域，并以该改质区域作为切断的起点(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2002-205180号公报

发明内容

上述的激光加工方法，是当加工对象物较厚时特别有效的技术。这是因为，即使加工对象物较厚时，通过增加沿着切断预定线的改质区域的列数，也能够精度良好地沿着切断预定线切断加工对象物。于是，关于这种技术，期望在维持切断品质的同时缩短加工时间。

因此，本发明鉴于这种情况而提出，目的在于，提供一种即使在基板较厚的情况下，也能够在短时间内沿着切断预定线将包括基板以及叠层部的加工对象物精度良好地切断成各个功能元件的加工对象物切断方法，其中，叠层部具有多个功能元件并设置在基板的表面上。

为了达到上述目的，本发明涉及的加工对象物切断方法，其特征在于，沿着切断预定线将包括基板以及叠层部的加工对象物切断成各个功能元件，其中叠层部具有多个功能元件并设置在基板的表面上，包括：通过将聚光点对准基板的内部并从叠层部侧照射激光，从而沿着切断预定线，在基板的内部形成从基板的厚度方向的中心位置偏向基板的背面侧的第1改质区域的工序；通过将聚光点对准基板的内部并从叠层部侧照射激光，从而沿着切断预定线，在基板的内部形成从基板的厚度方向的中心位置偏向基板的表面侧的第2改质区域，并从第2改质区域向基板的表面产生裂缝的工序；形成第1和第2改质区域后，在使安装于基板的背面的可扩张部件进行扩张的状态下，使加工对象物内产生应力以使裂缝打开的工序。

在该加工对象物切断方法中，从基板的厚度方向的中心位置偏向基板的背面侧的第1改质区域和从基板的厚度方向的中心位置偏向基板的表面侧的第2改质区域，被沿着切断预定线在基板的内部形成，同时从第2改质区域向基板的表面产生裂缝。然后，由于在该状态下，使加工对象物内产生应力以使裂缝打开，因而该裂缝向着叠层部以及第1改质区域伸展，从而沿着切断预定线精度良好地切断加工对象物。而且，这时，由于安装在基板的背面的可扩张部件被扩张，因而加工对象物刚被切断后，相对的切断面就立刻分离开来，从而防止了因相对的切断面彼此之间的接触而导致的切削(chipping)或破裂(cracking)的发生。由此，例如，在基板较厚的情况下，与通过增加沿着切断预定线的改质区域的列数来沿着切断预定线切断加工对象物的技术相比，能够在维持切断品质的同时实现加工时间的缩短。所以，根据该加工对象物切断方法，即使在基板较厚的情况下，也能够精度良好地沿着切断预定线在短时间内将包括基板以及具有多个功能元件并设置于基板表面的叠层部的加工对象物切断成各个功能元件。

这里，功能元件是指，例如由晶体生长而形成的半导体动作层、光电二极管等的受光元件、激光二极管等的发光元件、作为电路形成的电路元件等。而且，“从基板的厚度方向的中心位置偏向基板的背面侧的第1改质区域”是指，相对于基板的厚度方向的中心位置，第1改质区域的全部的部分位于基板的背面侧。而，“从基板的厚度方向的中心位置偏向基板的表面侧的第2改质区域”是指，相对于基板的厚度方向的中心位置，第2改质区域的全部的部分位于基板的表面侧。另外，第1以及第2改质区域是通过将聚光点对准基板的内部照射激光并在基板的内部产生多光子吸收或其他的光吸收而产生。

再者，优选在基板中的沿着切断预定线的部分中，相对于基板的厚度方向的中心位置而位于基板表面侧的部分中的第2改质区域的形成密度，高于相对于基板的厚度方向的中心位置而位于基板背面侧的部分中的第1改质区域的形成密度。进一步优选在基板中的沿着切断预定线的部分中，第2改质区域的列数多于第1改质区域的列数。由此，即使在基板较厚的情况下，也能够沿着切断预定线进一步精度良好地将包括基板以及具有多个功能元件并设置于基板表面的叠层部的加工对象物切断成各个功能元件。

这里，相对于基板的厚度方向的中心位置而位于基板背面侧的部分的第1改质区域的形成密度，是指第1改质区域相对于该部分所占的比例。同样，相对于基板的厚度方向的中心位置而位于基板表面侧的部分的第2改质区域的形成密度，是指第2改质区域相对于该部分所占的比例。