[发明专利]制造MEMS元件的方法

权利要求书

1.一种制造电子器件的方法，所述电子器件包括微机电(MEMS)元件，所述微机电元件设有固定电极和可动电极，所述可动电极位于空腔中、且可在第一间隙位置和第二位置之间向着和从固定电极移动，所述方法包括以下步骤：

-在基板的第一表面上提供牺牲层；

-设置具有位于牺牲层上的第一电极的电极结构；

-从与第一表面相反的第二表面在所述基板中提供至少一个蚀刻孔，所述蚀刻孔延伸直到暴露出牺牲层的区域；以及

-利用通过所述基板中的至少一个蚀刻孔的蚀刻剂去除牺牲层，从而形成所述空腔和位于固定电极和可动电极之间的间隙，

其特征在于，牺牲层通过局部氧化所述基板提供，且侧向至少基本上被基板的至少一个柱环绕，同时，所述电极结构延伸到所述基板的至少一个柱、且设有触点。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第二牺牲层设在第一电极的顶部上，所述第二牺牲层在去除步骤中被去除，使得第一电极是可动电极。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，固定电极限定在金属层中，所述金属层设在第二牺牲层的顶部上。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，处理基板中的至少一个蚀刻孔通过施加密封材料密封。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，固定电极限定在所述基板中，为此，所述基板在邻近所述间隙的区域中是充分导电的。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在处理基板中提供所述蚀刻孔之前，操纵基板粘接到所述基板，从而覆盖所述电极结构，且所述操纵基板在覆盖所述可动电极的区域被去除，使得暴露出所述可动电极。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板被充分地薄化、且被充分掺杂以充当可动电极，所述第一电极是固定电极。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，电极结构包括覆盖所述牺牲层的蚀刻阻挡层、和位于所述第一电极侧向的另一电极。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述电极结构的沉积之前，所述牺牲层被选择性地蚀刻，以在所述第一电极的区域形成空腔，使得所述第一电极和所述可动电极之间的间隙小于另一致动电极和所述可动电极之间的间隙。

10.一种电子器件，包括：具有第一表面和相反的第二表面的半导体材料基板、和微机电(MEMS)元件，所述微机电元件设有固定电极和可动电极，所述可动电极位于空腔中，且可在第一间隙位置和第二位置之间向着和从所述固定电极移动，所述电极中的至少一个限定在所述基板中，所述空腔通过所述基板中的孔敞开，所述基板中的孔暴露在所述基板的第二表面上，其中，所述空腔具有由所述基板中的至少一个柱限定的高度，所述至少一个柱侧向基本上环绕着所述空腔。

11.如权利要求10所述的电子器件，其特征在于，所述可动电极限定在所述基板的第一表面上的导电层中，且被包括在膜片中，所述膜片也暴露在远离所述空腔的一侧。

12.如权利要求10所述的电子器件，其特征在于，晶体管限定在邻近MEMS元件的半导体基板层中或半导体基板层上，使得MEMS元件的所述第一电极与晶体管的栅限定在相同的层中。

13.一种电子器件，包括：具有第一表面和相反的第二表面的半导体材料基板、和微机电(MEMS)元件，所述微机电元件设有固定电极、可动电极和空腔，所述可动电极可在第一间隙位置和第二位置之间向着和从所述固定电极移动，其中，所述可动电极位于所述基板上，所述空腔形成在所述可动电极下方，所述空腔通过设有孔的基板的一部分、和封闭所述孔的钝化层封闭。