[发明专利]溅射靶及光信息记录介质用薄膜有效
| 申请号: | 200680022785.6 | 申请日: | 2006-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN101208451A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
| 发明(设计)人: | 高见英生;矢作政隆 | 申请(专利权)人: | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C04B35/547;C04B35/453;G11B7/26;G11B7/257;G11B7/254 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王海川;樊卫民 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 溅射 信息 记录 介质 薄膜 | ||
1.一种溅射靶,其中,以硫化锌与由氧化铟、氧化锌及其它三价阳性元素A构成的氧化物为主要成分,硫相对于全部构成成分的比率为5至30重量%,XRD测定的立方晶系ZnS的(111)峰强度I1与六方晶系ZnS的(100)峰强度I2共存并且满足I1>I2。
2.权利要求1所述的溅射靶,其中,立方晶系ZnS的(111)峰的半值宽度的平均值为0.25以下,半值宽度的标准偏差为0.06以下。
3.权利要求1或2所述的溅射靶,其中,三价的阳性元素A为选自铝、镓、钇、镧中的一种以上成分的材料。
4.权利要求1至3任一项所述的溅射靶,其中,硫化物相的平均结晶粒径大于氧化物相的平均结晶粒径,并且为10μm以下。
5.权利要求1至4任一项所述的溅射靶,其中,相对密度为85%以上,基于三点弯曲强度(JIS R 1601)的强度平均值为50MPa以上,Weibull系数为5以上。
6.使用权利要求1至5任一项所述的溅射靶形成的光信息记录介质用薄膜。
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