[发明专利]用于芯片实验室诊断的集成波导激光器无效

专利信息
申请号: 200680022602.0 申请日: 2006-06-19
公开(公告)号: CN101203745A 公开(公告)日: 2008-06-18
发明(设计)人: H·莫恩克;G·休斯勒;U·韦克曼;J·戈特曼 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司;弗劳恩霍弗实用研究促进协会
主分类号: G01N21/77 分类号: G01N21/77;G01N21/64;H01S3/063;H01S3/102
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 李亚非;谭祐祥
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 用于 芯片 实验室 诊断 集成 波导 激光器
【权利要求书】:

1.用于对样品中的目标物质进行检测的检测设备,所述设备包括:衬底(1),在所述衬底(1)内或在所述衬底(1)上具有至少一个平面波导激光器(2),所述波导激光器(2)具有用于上转换或下转换的增益介质(5),其中所述波导激光器(2)的顶层(3)形成所述衬底(1)表面的至少一部分并允许在接触所述表面的样品中形成迅衰波,其中在所述顶层(3)上施加一种结构以在所述顶层(3)上限定探测器区域(4)阵列,所述探测器区域(4)包括用于检测待检测目标物质的探测器材料涂层。

2.如权利要求1所述的检测设备,其特征在于:所述增益介质(5)被嵌入在折射率低于增益介质(5)的材料中,其中所述顶层(3)由所述材料形成且在探测器区域(4)中的厚度小于或等于波导激光器(2)的激光波长。

3.如权利要求1或2所述的检测设备,其特征在于:所述增益介质(5)为稀土掺杂材料。

4.如权利要求1或2所述的检测设备,其特征在于:所述波导激光器(2)包括两个端镜(6),它们对于所述波导激光器的波长都具有高反射率,并因此形成共振器,其中所述端镜(6)之一至少部分透过泵浦激光器(7)的辐射。

5.如权利要求4所述的检测设备,其特征在于:端镜(6)形成在所述衬底(1)的侧面上。

6.如权利要求4或5所述的检测设备,其特征在:端镜(6)由电介质涂层形成。

7.如权利要求6所述的检测设备,其特征在于:至少两个波导激光器(2)包括不同电介质涂层的端镜(6)和/或包括导致该至少两个波导激光器(2)的不同激光波长的不同增益介质。

8.如权利要求1或2所述的检测设备,其特征在于:设计至少两个波导激光器(2),使得该至少两个波导激光器(2)中的一个产生的激光波长不同于该至少两个波导激光器(2)中的另一个的激光波长。

9.如权利要求1至8中任一项所述的检测设备,其特征在于:几个波导激光器(2)平行地设置在所述衬底(1)上或在所述衬底(1)内。

10.如权利要求1至9中任一项所述的检测设备,其特征在于:一个或几个泵浦激光器(7)被设置在承载元件(9)上,其中固定和/或定位装置(10)被设置在所述承载元件(9)上,用于以正确的位置和对准关系在所述承载元件(9)上装配所述衬底(1)。

11.如权利要求10所述的检测设备,其特征在于:通过与所述固定和/或定位装置(10)连接的反馈电路(11,12),所述固定和/或定位装置(10)允许将所述衬底(1)主动地对准在所述承载元件(9)上。

12.如权利要求11所述的检测设备,其特征在于:所述反馈电路(11,12)包括用于对所述波导激光器(2)的激光或施加在所述衬底(1)上的样品的荧光进行检测的光电检测器(12),以及驱动所述固定和/或定位装置(10)直至所述光电检测器(12)检测到所述激光或荧光的最大强度的控制电路(11)。

13.如权利要求10至12中任一项所述的检测设备,其特征在于:所述一个或几个泵浦激光器(7)为半导体激光器或半导体激光棒。

14.如权利要求1至13中任一项所述的检测设备,其特征在于:所述顶层(3)被构造成提高耦合到所述样品中的所述波导激光器(2)的激光量。

15.如权利要求1至14中任一项所述的检测设备,其特征在于:不同的探测器区域(4)或所述不同探测器区域(4)的至少一些涂覆有不同的探测器材料。

16.使用根据权利要求1至15中任一项所述的检测设备的诊断仪器。

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