[发明专利]固体电解电容器及其制造方法

权利要求书

1.固体电解电容器，其包含在介电膜上的自掺杂型导电聚合物层，所述自掺杂型导电聚合物在其聚合物链之间具有交联，所述介电膜在阀作用金属上形成。

2.如权利要求1所述的固体电解电容器，其中所述自掺杂型导电聚合物含有磺酸根或磺酸酯基团。

3.如权利要求2所述的固体电解电容器，其中所述交联通过砜键形成，并且基于聚合物的重复单元，所述自掺杂型导电聚合物含有0.01至90摩尔％的通过砜键交联的结构。

4.如权利要求1至3任一项所述的固体电解电容器，其中所述自掺杂型导电聚合物是具有磺酸根或磺酸酯基团的自掺杂型导电聚合物，其中聚合物链通过结合能比磺酸根或磺酸酯基团的结合能低0.5至2eV的键交联，该结合能是通过X-射线光电子能谱法测得的。

5.如权利要求1至4任一项所述的固体电解电容器，其中所述自掺杂型导电聚合物含有具有磺酸根或磺酸酯基团的异硫茚骨架。

6.如权利要求5所述的固体电解电容器，其中所述自掺杂型导电聚合物含有通式(1)所示的通过砜键交联的结构：

其中R¹至R³独立地代表氢原子、具有1至20个碳原子的直链或支链烷基、具有1至20个碳原子的直链或支链烷氧基、具有2至20个碳原子的直链或支链烯基、具有2至20个碳原子的直链或支链烯氧基、羟基、卤原子、硝基、氰基、三卤甲基、苯基、取代的苯基、或-B¹-SO₃^-M⁺基团；B¹和B²独立地代表-(CH₂)_p-(O)_q-(CH₂)_r-；p和r独立地代表0或1至3的整数；q代表0或1；M⁺代表氢离子、碱金属离子或季铵离子；Ar代表一价芳族基团、取代的一价芳族基团、一价杂环基团或取代的一价杂环基团，Ar可以含有聚合物链。

7.如权利要求6所述的固体电解电容器，其中所述自掺杂型导电聚合物含有通式(2)所示的通过砜键交联的结构：

其中R¹至R⁶独立地代表氢原子、具有1至20个碳原子的直链或支链烷基、具有1至20个碳原子的直链或支链烷氧基、具有2至20个碳原子的直链或支链烯基、具有2至20个碳原子的直链或支链烯氧基、羟基、卤原子、硝基、氰基、三卤甲基、苯基、取代的苯基或-B¹-SO₃^-M⁺基团；B¹和B²独立地代表-(CH₂)_p-(O)_q-(CH₂)_r-；p和r独立地代表0或1至3的整数；q代表0或1；M⁺代表氢离子、碱金属离子或季铵离子。

8.如权利要求7所述的固体电解电容器，其中所述自掺杂型导电聚合物含有通式(3)所示的通过砜键交联的结构：

其中B¹代表-(CH₂)_p-(O)_q-(CH₂)_r-；p和r独立地代表0或1至3的整数；q代表0或1；M⁺代表氢离子、碱金属离子或季铵离子。

9.如权利要求2至4任一项所述的固体电解电容器，其中所述自掺杂型导电聚合物含有具有磺酸根或磺酸酯基团的5元杂环骨架。