[发明专利]用于低电压场致发光器件的有机元件

权利要求书

1.OLED器件，其依序包含阴极、发光层和阳极，并具有位于阴极和发光层之间的含有(a)多于10体积％的碳环稠环芳族化合物和(b)碱金属或碱土金属中的至少一种盐或络合物的层。

2.权利要求1的器件，其中该层是发光的。

3.权利要求1的器件，其中该层不发光。

4.权利要求1的器件，其中该层邻接发光层。

5.权利要求1的器件，其中稠环芳族化合物是并四苯。

6.权利要求1的器件，其中碳环稠环芳族化合物由式(1)表示：

其中：

R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁和R₁₂独立地选自氢和取代基；

条件是任何所示取代基可以连接形成进一步的稠环。

7.权利要求1的器件，其中稠环芳族化合物由式(2)表示：

其中：

Ar¹-Ar⁴代表独立选择的芳族基团；

R¹-R⁴代表氢或独立选择的取代基。

8.权利要求7的器件，其中R¹与R⁴相同并且都不是氢，Ar¹与Ar⁴相同，Ar²与Ar³相同。

9.权利要求1的器件，其中稠环芳族化合物是红荧烯化合物。

10.权利要求1的器件，其中稠环芳族化合物是：

11.权利要求1的器件，其中稠环芳族化合物由式(3)表示：

其中：

W₁-W₁₀独立地代表氢或独立选择的取代基，条件是两个相邻取代基可以结合形成环。

12.权利要求11的器件，其中W₉和W₁₀中至少一个是芳基。

13.权利要求11的器件，其中W₂、W₃、W₆和W₇中至少一个是取代基。

14.权利要求11的器件，其中W₂、W₃、W₆和W₇中至少一个是芳基。

15.权利要求1的器件，其中碳环稠环芳族化合物构成该层的15-95体积％。

16.权利要求1的器件，其中碳环稠环芳族化合物构成该层的25-90体积％。

17.权利要求1的器件，其中碳环稠环芳族化合物构成该层的50-80体积％。

18.权利要求1的器件，其中(b)是有机盐。

19.权利要求1的器件，其中(b)是无机盐。

20.权利要求1的器件，其中(b)是包括卤化物、氧化物、乙酸盐或甲酸盐的盐。

21.权利要求1的器件，其中(b)是包括氟化物的盐。

22.权利要求1的器件，其中金属络合物是锂络合物。

23.权利要求1的器件，其中(b)是式(4)所示的金属络合物：

(M)_m(Q)_n  (4)

其中：

M代表碱金属或碱土金属；

每个Q是独立选择的配体；

m和n是为了在络合物(4)上提供中性电荷而选择的整数。

24.权利要求23的器件，其中M代表Li⁺。