[发明专利]用于超临界流体去除或沉积工艺的装置和方法

权利要求书

1.一种连续流超临界流体(SCF)装置，所述SCF装置包括：

(a)盛放溶剂的溶剂容器；

(b)连通至所述溶剂容器的高压溶剂泵，用于使所述高压溶剂泵下游的所述溶剂流动；

(c)连通至并定位于所述高压溶剂泵下游的溶剂加热器，其中所述溶剂加热器布置成用于将所述溶剂转化为超临界状态；

(d)高压化学组分泵，用于使所述化学组分泵下游的至少一种化学组分流动；

(e)连通至并定位于所述溶剂加热器和所述化学组分泵两者下游的混合室；和

(f)连通至并定位于所述溶剂加热器和所述混合室下游的处理室。

2.权利要求1的SCF装置，其中所述装置用于将薄膜沉积到微电子器件上。

3.权利要求2的SCF装置，其中所述处理室包括：

(a)内室；

(b)定位于所述内室中的流体分散器；

(c)定位于所述内室中的微电子器件支撑件，其布置成用于支撑一个或多个微电子器件；和

(d)位置远离所述流体分散器的至少两个排出口。

4.权利要求3的SCF装置，其中所述流体分散器包括喷淋头。

5.权利要求4的SCF装置，其中所述喷淋头可以沿着所述SCF处理室的长度轴向调整，从而改变所述喷淋头与所述微电子器件之间的距离。

6.权利要求3的SCF装置，其中所述至少两个排出口的位置接近所述微电子器件。

7.权利要求3的SCF装置，其中所述至少两个排出口对称地定位在所述SCF处理室的周边。

8.权利要求3的SCF装置，还包括位于所述微电子器件支撑件上或内部的加热元件。

9.权利要求8的SCF装置，其中所述加热元件包括位于所述微电子器件支撑件内部的至少一个筒式电阻加热器。

10.权利要求8的SCF装置，其中将所述至少一个筒式电阻加热器定位，从而在所述微电子器件附近将热散发给所述微电子器件支撑件。

11.权利要求8的SCF装置，其中所述加热元件包括导电薄膜。

12.权利要求3的SCF装置，其中所述处理室包括高压容器和高压顶部，其中所述高压容器和高压顶部可以成对咬合并且限定了所述内室。

13.权利要求3的SCF装置，其布置成用于将所述流体分散器上游和下游的所述溶剂保持在超临界状态。

14.权利要求2的SCF装置，其中所述至少一种化学组分包括选自源试剂化合物、源试剂络合物、源试剂材料、共溶剂、共反应物、表面活性剂、螯合剂、稀释剂及其组合的物质。

15.权利要求2的SCF装置，其中使用所述至少一种化学组分沉积选自金属、金属合金、金属氧化物、金属硫化物、混合的金属氧化物、混合的金属硫化物、介电材料、低k介电材料和其它薄膜的薄膜。

16.权利要求1的SCF装置，其布置成用于使来自所述溶剂加热器的所述超临界溶剂持续流向所述处理室。

17.权利要求1的SCF装置，其布置成用于在所述混合室内混合所述超临界溶剂和所述至少一种化学组分，以形成包含化学组分的SCF。

18.权利要求17的SCF装置，其布置成用于使来自所述混合室的所述包含化学组分的SCF持续流向所述处理室。

19.权利要求17的SCF装置，其布置成用于使来自所述混合室的所述包含化学组分的SCF脉冲流向所述处理室。

20.权利要求1的SCF装置，还包括定位在所述处理室下游的分离器。

21.权利要求20的SCF装置，其中背压调节器定位在所述处理室和所述分离器之间。

22.权利要求1的SCF装置，其中所述混合室的容积大约等于所述处理室的容积。

23.权利要求1的SCF装置，其中所述混合室选自静态混合室和动态混合室。

24.权利要求1的SCF装置，其中所述超临界溶剂包括二氧化碳。