[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具有存储器单元阵列，所述存储器单元阵列在行方向和列方向的至少任一个方向上排列多个具有可变电阻元件的存储器单元，所述可变电阻元件的电阻根据电压脉冲的施加而变化，可根据该电阻变化而存储信息，所述存储器单元阵列将同一行的上述存储器单元内的一个端子与共通的字线连接，将同一列的上述存储器单元内的其它端子与共通的位线连接，上述半导体存储装置的特征在于，

基于选择存储器单元的上述存储器单元阵列内的配置点，调整施加到上述字线内的与上述选择存储器单元连接的选择字线和上述位线内的与上述选择存储器单元连接的选择位线的至少某一方的端部上的电压脉冲的电压幅值或者脉冲宽度的至少某一方，使得根据施加到上述存储器单元阵列内的上述存储器单元、即成为写入或消去对象的上述选择存储器单元的上述可变电阻元件上的电压脉冲的有效电压幅值或脉冲宽度，写入或消去后的上述可变电阻元件的电阻变化与上述存储器单元阵列内的配置点无关，收束在一定范围内。

2.一种半导体存储装置，具有存储器单元阵列，所述存储器单元阵列在行方向和列方向的至少任一个方向上排列多个具有可变电阻元件的存储器单元，所述可变电阻元件的电阻根据电压脉冲的施加而变化，可根据该电阻变化存储信息，所述存储器单元阵列将同一行的上述存储器单元内的一个端子与共通的字线连接，将同一列的上述存储器单元内的其它端子与共通的位线连接，上述半导体存储装置的特征在于，

基于选择存储器单元的上述存储器单元阵列内的配置点，调整施加到上述字线内的与上述选择存储器单元连接的选择字线和上述位线内的与上述选择存储器单元连接的选择位线的至少某一方的端部上的电压脉冲的电压幅值，使得施加到上述存储器单元阵列内的上述存储器单元、即成为写入、消去或读出对象的上述选择存储器单元的上述可变电阻元件上的电压脉冲的有效电压幅值与上述存储器单元阵列内的配置点无关，收束在一定范围内。

3.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于，

在上述存储器工作时，基于上述选择存储器单元的上述存储器单元阵列内的配置点，调整施加到上述字线内的不与上述选择存储器单元连接的非选择字线的端部上的电压和上述位线内的不与上述选择存储器单元连接的非选择位线上的电压的至少某一方。

4.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于，

在假设上述选择字线与上述选择位线的各端部间的电压差为V_BW，施加到上述选择存储器单元的上述可变电阻元件上的上述有效电压幅值为V_R，上述可变电阻元件的电阻值为R，从上述选择字线和上述选择位线的各端部到上述选择存储器单元的布线电阻的总和为R_LINE的情况下，调整上述电压差V_BW，使得用数学式

V_R＝R/(R+R_LINE)×V_BW

给予的上述有效电压幅值V_R恒定。

5.如权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，

在进一步假设电源电压为V_DD，对于上述存储器单元阵列内的全部的上述存储器单元共通的常数为X的情况下，与(R+R_LINE)成比例地调整上述电压差V_BW，使得满足数学式

V_BW＝X×(R+R_LINE)×V_DD。

6.如权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，

具有用于调整施加到上述选择字线和上述选择位线的至少某一方的端部上的电压脉冲的电压幅值的电压调整电路，

上述电压调整电路具有小于等于上述存储器单元阵列内的上述存储器单元的总数的多个开关电路，

利用选择上述选择字线和上述选择位线的至少某一方的译码信号来通断控制上述多个开关电路。