[发明专利]气密性密封封装体及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200680020494.3 申请日: 2006-04-05
公开(公告)号: CN101218692A 公开(公告)日: 2008-07-09
发明(设计)人: 唐纳德·F·福斯特;威廉·F·尼朗 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 封新琴
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 气密性 密封 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种气密性密封封装体,包括:

第一基板,其构成为安放有机电子器件;

有机电子器件,其设置在所述第一基板上;

第一打底层,其设置在所述第一基板上,其中所述第一打底层沿有机电子器件的周边设置;

金属合金密封材料层,其设置在所述第一打底层上并沿有机电子器件的周边设置;

第二打底层,其设置在所述金属密封材料层上;和

第二基板,其设置在所述第二打底层上并设置在有机电子器件的上方并与其接近。

2.如权利要求1的气密性密封封装体,其中所述第一基板包括柔性基板。

3.如权利要求1的气密性密封封装体,其中所述第一基板包括复合结构。

4.如权利要求1的气密性密封封装体,其中所述第一基板包括聚合物材料。

5.如权利要求1的气密性密封封装体,其中所述第一基板包括塑料、金属箔或玻璃。

6.如权利要求1的气密性密封封装体,包括设置在所述第一基板和所述有机电子器件之间的阻挡涂层。

7.如权利要求1的气密性密封封装体,其中所述有机电子器件包括有机电致发光器件或有机光伏器件。

8.如权利要求1的气密性密封封装体,其中所述金属合金密封材料的熔点高于有机电子器件的工作温度。

9.如权利要求1的气密性密封封装体,其中所述金属合金密封材料层包括铋或锡或铅或铟或镉或其组合的合金。

10.如权利要求9的气密性密封封装体,其中铋的体积百分比在从约0到约50%的范围内,或者锡的体积百分比在从约5%到约50%的范围内,或者铅的体积百分比在从约0到约50%的范围内,或者铟的体积百分比在从约0到约55%的范围内,或者镉的体积百分比在从约0到约15%的范围内。

11.如权利要求1的气密性密封封装体,其中所述第二基板包括顶板。

12.一种气密性密封封装体,包括:

第一基板,其构成为容纳有机电子器件;

有机电子器件,其设置在所述基板的上表面上;

绝缘粘合剂层,其设置在所述有机电子器件的上方;

顶板,其连接到绝缘粘合剂层并设置成接近所述有机电子器件,其中所述顶板包括用于包封封装体边缘的外围部分,,以使所述顶板的外围部分连接到与有机电子器件相对的基板的下表面上;和

金属合金密封材料层,其设置在基板的下表面上,以使顶板的外围部分气密地密封至基板的下表面。

13.如权利要求12的气密性密封封装体,还包括干燥剂材料,所述干燥剂材料设置在用顶板包封封装体边缘而形成的穴中。

14.如权利要求12的气密性密封封装体,还包括打底层,所述打底层设置在所述金属合金密封材料层和所述基板的下表面之间以及所述金属合金密封材料层和所述顶板的外围部分之间。

15.如权利要求14的气密性密封封装体,其中所述打底层包括锡。

16.一种气密性密封封装体,包括:

第一基板,其具有内侧和外侧;

有机电子器件,其设置在所述第一基板的内侧上;

绝缘层,其设置在所述有机电子器件的上方;

第二基板,其具有内侧和外侧,其中所述第二基板连接到绝缘粘合剂,以使所述第二基板的内侧设置成接近有机电子器件;

边缘包封体,其连接到所述第一和第二基板各自的外侧并构成为气密性密封封装体的外部边缘;和

金属合金密封材料层,其连接到所述第一和第二基板各自的外侧,并连接到所述边缘包封体,以使所述边缘包封体气密性密封到所述第一和第二基板各自的外侧。

17.如权利要求16的气密性密封封装体,其中所述第一基板和所述第二基板都包括复合结构。

18.如权利要求16的气密性密封封装体,其中所述边缘包封体包括金属箔。

19.如权利要求16的气密性密封封装体,还包括打底层,所述打底层设置在所述边缘包封体与所述第一和第二基板各自的外侧之间。

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