[发明专利]固化性树脂组合物及其固化物有效
| 申请号: | 200680019298.4 | 申请日: | 2006-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN101189551A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
| 发明(设计)人: | 大胡义和;峰岸昌司;糸川弦 | 申请(专利权)人: | 太阳油墨制造株式会社 |
| 主分类号: | G03F7/033 | 分类号: | G03F7/033;C08L33/14;G03F7/004 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固化 树脂 组合 及其 | ||
技术领域
本发明涉及以高浓度填充无机填充材料且可通过稀碱性水溶液显影的固化性树脂组合物及其固化物。进一步详细地说,本发明涉及如下所述的固化性树脂组合物及其固化物,该固化性树脂组合物通过以高浓度填充无机填充材料,可容易地实现低线膨胀率化、高热传导率化、低吸水率化等,在高温时从树脂等有机成分放出的气化成分少,并且可通过稀碱性水溶液显影。
背景技术
近年来,伴随着电子机器的小型化、高性能化,要求半导体的高密度化、高功能化。因此,安装半导体的电路基板也要求是小型高密度的电路基板。应对这样的高密度化的要求,出现了在芯基板上形成树脂绝缘层、利用非电解镀铜等形成铜箔层而多层化的积层基板、将形成电路的半导体芯片表面安装到基板上的BGA(球栅阵列,Ball Grid Array)和CSP(芯片尺寸封装,Chip Scale Package)等封装基板。
用于这样的积层基板或封装基板的树脂组合物(例如,参考专利文献1和专利文献2)是以低分子量的环氧化合物为基础的树脂组合物,并且难以高度填充对低线膨胀系数化有用的熔融二氧化硅、提高散热性的氧化铝等无机填充材料。
另一方面,作为散热性良好的电路基板,可列举出使用铜、铝等金属板,在该金属板的单面或双面隔着半固化片、热固化性树脂组合物等电绝缘层形成电路图案的金属基底基板(例如,参考专利文献3)。然而,该金属基底基板由于电绝缘层的热传导性差,因而需要使绝缘层变薄,其结果是产生绝缘耐压的问题。
对于散热性的问题,也考虑了在半导体上部附带散热片的方法,但由于放出的热约50%被封装基板蓄积,因而,封装基板的散热性依然是问题。
另外,在多个表面安装型发光二极管用于按钮显示的最近的手机等中,存在由发光二极管发散出的热量大部分蓄积到基板的问题。具体地说,例如在形成有端子部的树脂绝缘层上配置发光二极管芯片,用兼作镜片层的封装树脂对其上部进行封装,在由此得到的表面安装型发光二极管中,前述树脂绝缘层的散热性成为问题。
另外,以往的液状光阻焊剂组合物(例如,参考专利文献4)中,无机填充材料的含有率为50质量%以下,大多使用硫酸钡、二氧化硅、滑石、粘土等无机填充材料、特别是硫酸钡。该体系中,涂膜的吸水率为1.2~1.5质量%,吸水导致的爆裂现像、涂膜中的水分导致的电腐蚀性成为问题。另外,高温时从树脂分解放出的多元酸酐、光聚合引发剂气化并引起电子机器的运转不良也成为问题。
专利文献1:日本特开平9-148748号公报(权利要求书)
专利文献2:日本特开平11-288091号公报(权利要求书)
专利文献3:日本特开平6-224561号公报(权利要求书)
专利文献4:日本特开昭61-243869号公报(权利要求书)
发明内容
发明所要解决的问题
本发明是鉴于上述问题点进行开发的,其主要目的在于,提供一种固化性树脂组合物,其通过以高浓度填充无机填充材料,可容易地实现低线膨胀率化、高热传导率化、低吸水率化等,可通过稀碱性水溶液显影,并且在高温时从树脂等有机成分放出的气化成分少。
另外,本发明的目的还在于提供一种固化物,其是对上述固化性树脂组合物进行活性能量线照射和/或热固化而得到的,低线膨胀率化、高热传导率化、低吸水率化等优异,并且高温时从树脂等有机成分中放出的气化成分少。
用于解决问题的方法
发明人们为实现前述目的进行了深入研究,结果发现:由(A)含羧基共聚树脂、(B)通过活性能量线固化的具有2个以上反应基的化合物、(C)光聚合引发剂组成的组合物作为粘合剂树脂成分是优异的,并且可提供一种固化性树脂组合物,其在固体成分中可填充65质量%以上的无机填充材料(D),根据无机填充材料(D)的种类,可容易地实现低线膨胀率化、高热传导率化、低吸水率化等,可通过稀碱性水溶液显影,并且在高温时从树脂等有机成分放出的气化成分少,从而完成了本发明。
作为更优选的形态,所述含羧基共聚树脂(A)是包含下述通式(I)或(II)所示化合物作为构成成分的含羧基共聚树脂,
式中,R1表示氢原子或甲基、R2表示碳原子数2~6的直链状或支链状的亚烷基、R3表示碳原子数3~10的亚烷基、R4表示二元酸酐残基。
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