[发明专利]溅射靶及其制造方法

权利要求书

1.一种溅射靶，其中，含有Al₂O₃：0.2至3.0原子％、MgO和/或SiO₂ ：1至27原子％、余量为ZnO，并且具有低折射率以及低体积电阻。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，MgO和/或SiO₂含量为10至27原子％。

3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，相对密度为90％以上。

4.根据权利要求1至3任一项所述的溅射靶，其作为用于形成光信息记录介质的保护层、反射层或半透过层的靶使用。

5.根据权利要求1至4任一项所述的溅射靶，其中，靶的体积电阻小于100mΩ·cm。

6.一种溅射靶的制造方法，所述溅射靶具有低折射率以及低体积电阻，其中，将原料Al₂O₃粉与ZnO粉预先混合并预先煅烧，然后在该煅烧后的Al₂O₃-ZnO粉中混合MgO和/或SiO₂粉并再次煅烧后，进行烧结。

7.一种溅射靶的制造方法，所述溅射靶具有低折射率以及低体积电阻，其中，将原料Al₂O₃粉与ZnO粉预先混合并预先煅烧，另外将原料MgO粉和SiO₂粉同样混合并煅烧，然后在所述煅烧后的Al₂O₃-ZnO粉中混合该MgO-SiO₂煅烧粉并再次煅烧后，进行烧结。

8.根据权利要求6或7所述的溅射靶的制造方法，其中，所述溅射靶，作为总量，含有Al₂O₃：0.2至3.0原子％、MgO和/或SiO₂：1至27原子％、余量为ZnO，并且具有低折射率以及低体积电阻。

9.根据权利要求8所述的溅射靶的制造方法，其中，所述溅射靶中MgO和/或SiO₂含量为10至27原子％。