[发明专利]用于发光二极管的硅底座上的硅偏转器

权利要求书

1.一种用于制造反射式光学阻挡层的方法，该反射式光学阻挡层包括硅且与发光器件结合使用，其中该方法包括以这样的方式各向异性地湿式刻蚀硅材料：沿着硅材料的结晶(111)平面刻蚀的速率小于沿着(110)平面和(100)平面刻蚀的速率。

2.根据权利要求1的方法，其中该方法包括下述步骤：在硅衬底上创建二氧化硅和/或氮化硅层；通过平版印刷术构图光学阻挡层；刻蚀二氧化硅和/或氮化硅层；各向异性地湿式刻蚀硅衬底；进一步去除二氧化硅和/或氮化硅层；在箔上安装硅晶片；如果需要，研磨后面直到光学阻挡层和硅晶片脱离。

3.根据权利要求1或者2的方法，其中将硅材料湿式刻蚀到这样的程度：形成通孔开口或者具有封闭的底部的空腔。

4.根据权利要求1的方法，其中该方法包括下述步骤：将硅晶片研磨成给定的厚度，该厚度等于反射式光学阻挡层的所需高度；将一个或者多个氮化硅层沉积到所述晶片的前侧面和后侧面；通过平版印刷术构图该光学阻挡层；在已经通过平版印刷术构图该光学阻挡层的晶片的侧面上刻蚀氮化硅层；各向异性地湿式刻蚀硅衬底；刻蚀在该晶片上剩余的氮化硅；在箔上安装该硅晶片；切割该晶片。

5.根据权利要求1到4的方法，其中光学阻挡层涂覆有反射表面，优选银和/或铝。

6.根据权利要求1到5的方法，其中光学阻挡层另外配备有用于将光学阻挡层安装在第二表面上的引导辅助设备。

7.反射式光学阻挡层，其通过根据权利要求1到6的方法获得，其和发光器件结合使用。

8.反射式光学阻挡层，其通过根据权利要求1到7的方法获得，其中它具有≥100μm到≤500μm的侧壁高度，优选500μm，和/或≥80μm到≤100μm的发光器件高度，优选100μm，和/或≥80μm到≤300μm的中心反射壁高度，优选200μm。

9.根据权利要求7或者8的反射式光学阻挡层，还包括无源部件，优选选自包括电子元器件、流体管道、气体管道和/或光波导的组。

10.包括发光器件的反射式光学阻挡层的用途，用于照明目的。