[发明专利]电源控制器和半导体装置

权利要求书

1.一种电源控制器，位于电源与负载之间，并且被配置为控制从所述电源到所述负载的供电，所述电源控制器包括：

半导体开关元件，其位于从所述电源到所述负载的电源线上；

电流检测电路，其被配置为用于检测流经所述半导体开关元件的负载电流；

电压产生器电路，其被配置为根据所述半导体开关元件的输出侧电压来生成电压；以及

异常检测电路，其被配置为，如果流经所述半导体开关元件的负载电流大于对应于所述生成电压的阈值电流，则根据来自所述电流检测电路的检测信号以及由所述电压产生器电路的生成电压来输出异常信号。

2.如权利要求1的电源控制器，其中所述电压产生器电路为分压电路，其被配置为对所述半导体开关元件的输出侧电压进行分压，使得被分电压被提供作为所生成的电压。

3.如权利要求2的电源控制器，其中所述半导体开关元件为功率FET，并且所述电流检测电路包括检测FET，其中与流经所述功率FET的负载电流具有预定关系的检测电流流经该检测FET，所述电源控制器进一步包括：

电流-电压转换器电路，其被配置为将流经所述检测FET的检测电流转换为电压；

其中，如果所述电流-电压转换器电路的输出电压大于所生成的电压，则所述异常检测电路被配置为输出所述异常信号。

4.如权利要求3的电源控制器，其中：

所述功率FET、所述检测FET以及所述异常检测电路被形成为半导体装置，该半导体装置被配置在容纳于封装中的多个芯片或单个芯片上；

所述分压电路被包括在所述半导体装置中；以及

所述电流-电压转换器电路是位于所述半导体装置外部的外部电阻器。

5.如权利要求4的电源控制器，其中：

所述分压电路被配置为生成多个分压；以及

所述异常检测电路被配置为，通过将所述电流-电压转换器电路的输出电压与所述多个分压进行比较，从而输出多个异常信号，其中该异常信号取决于异常电流的水平。

6.如权利要求2-5中任何一项的电源控制器，其中在所述分压电路的上游端侧或下游端侧配备偏压电路。

7.如权利要求6的电源控制器，其中所述偏压电路包括位于所述分压电路下游端侧上的FET，其中在该FET中形成有二极管连接，并且还包括连接在所述FET的栅极与所述电源之间的偏压电阻器。

8.如权利要求6的电源控制器，其中所述偏压电路包括连接在所述电源与所述分压电路的上游端之间的偏压电阻器。

9.如权利要求7或8的电源控制器，其中在用于流至所述偏压电阻器的电流的电流路径上配备有漏电流块电路，并且被配置为正常地切断所述电流以及当所述半导体开关元件的输入信号有效时允许所述电流通过。

10.一种半导体装置，其被配置为通过使用功率FET来控制电源，其中：

所述功率FET、检测FET、异常检测电路、以及分压电路被配备为容纳于封装中的单个芯片或多个芯片上，其中对应于所述功率FET电流量的检测电流流经该检测FET，所述异常检测电路被配置为根据所述检测电流的水平来检测流经所述功率FET的电流异常，并且所述分压电路被配置为对所述功率FET的源极电压进行分压；

配备有外部端子，其中所述检测电流的电流路径与该外部端子相连，并且外部电阻器可外部连接到该外部端子，以及所述检测电流经过所述外部端子流至所述外部电阻器；以及

所述异常检测电路被配置为根据所述外部电阻器的端电压与来自所述分压电路的分压之间的比较来输出异常信号