[发明专利]电光器件有效

专利信息
申请号: 200680018711.5 申请日: 2006-06-20
公开(公告)号: CN101185020A 公开(公告)日: 2008-05-21
发明(设计)人: 中村孝一郎;藤浦和夫;今井钦之;宫津纯 申请(专利权)人: 日本电信电话株式会社
主分类号: G02F1/29 分类号: G02F1/29;G02F1/03
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人: 余朦;方挺
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电光 器件
【权利要求书】:

1.一种电光器件,其特征在于,包括:

具有电光效应的电光晶体;

使所述电光晶体内部产生电场的、由正极和负极构成的电极对;以及

在所述电极对之间施加电压以使所述电光晶体内部产生空间电荷的电源。

2.根据权利要求1所述的电光器件,其特征在于,所述电极对中的所述正极配置在所述电光晶体的两个平行地相对的面一侧上,所述负极配置在该两个平行地相对的面的另一侧上。

3.根据权利要求1所述的电光器件,其特征在于,所述电极对中的所述正极和所述负极彼此间隔配置在所述电光晶体的同一面上。

4.根据权利要求1、2或者3所述的电光器件,其特征在于,在所述电光晶体中发现的电光效应是普克耳斯效应。

5.根据权利要求1、2或者3所述的电光器件,其特征在于,在所述电光晶体中发现的电光效应是克尔效应。

6.根据权利要求1、2或者3所述的电光器件,其特征在于,在所述电光晶体中发现的电光效应是普克耳斯效应和克尔效应。

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的电光器件,其特征在于,所述电光晶体是K1-yLiyTa1-xNbxO3(0<x<1、0<y<1)、LiNbO3、LiTaO3、LiIO3、KNbO3、KTiOPO4、BaTiO3、SrTiO3、Ba1-xSrxTiO3(0<x<1)、Ba1-xSrxNb2O6(0<x<1)、Sr0.75Ba0.25Nb2O6、Pb1-yLayTi1-xZrxO3(0<x<1、0<y<1)、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3、KH2PO4、KD2PO4(NH4)H2PO4、BaB2O4、LiB3O5、CsLiB6O10、GaAs、CdTe、GaP、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe以及ZnO中的任意一种。

8.一种光束偏转器,其特征在于,包括:

具有电光效应的电光晶体;以及

由正极和负极构成的电极对,所述电极对由对于有助于所述电光晶体的电传导的载流子而言为欧姆接触的材料构成,并且使所述电光晶体内部产生电场。

9.根据权利要求8所述的光束偏转器,其特征在于:所述电光晶体的相对介电常数大于或等于500且小于或等于40000。

10.根据权利要求9所述的光束偏转器,其特征在于:所述电光晶体是K1-yLiyTa1-xNbxO3(0<x<1、0≤y<1)。

11.根据权利要求10所述的光束偏转器,其特征在于:当有助于所述电光晶体的电传导的载流子是电子时,所述电极对的材料的功函数为小于5.0eV。

12.根据权利要求11所述的光束偏转器,其特征在于:所述电极对的材料是Cs、Rb、K、Sr、Ba、Na、Ca、Li、Y、Sc、La、Mg、As、Ti、Hf、Zr、Mn、In、Ga、Cd、Bi、Ta、Pb、Ag、Al、V、Nb、Ti、Zn、Sn、B、Hg、Cr、Si、Sb、W、Mo、Cu、Fe、Ru、Os、Te、Re、Be、Rh中的任意一种。

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