[发明专利]磁记录介质及其制造方法以及磁记录和再现装置

权利要求书

1.一种磁记录介质，包含非磁性衬底；并且在该衬底上，按照以下顺序至少提供了非磁性基底层、非磁性中间层、磁性层和保护层，其特征在于，构成该非磁性基底层的至少一个层是由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf或者Ta)构成的。

2.一种磁记录介质，包含非磁性衬底；并且在该衬底上，按照以下顺序至少提供了非磁性基底层、非磁性中间层、稳定层、非磁性耦合层、磁性层和保护层，并且该稳定层与该磁性层反铁磁性耦合，其特征在于，构成该非磁性基底层的至少一个层是由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf或者Ta)构成的。

3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中构成该非磁性中间层的至少一个层是由Ru或者RuY的合金(Y＝Ti、Nb、Mo、Rh、Ta、W、Re、Ir或者Pt)构成的。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的磁记录介质，其中该基于WX的合金具有50到99at％的W含量以及1到50at％的X含量。

5.根据权利要求1到3中任一项所述的磁记录介质，其中该基于MoX的合金具有50到99at％的Mo含量以及1到50at％的X含量。

6.根据权利要求3所述的磁记录介质，其中该基于RuY的合金具有20到99at％的Ru含量以及1到80at％的X含量。

7.根据权利要求2到6中任一项所述的磁记录介质，其中该非磁性耦合层是由从Ru、Rh、Ir、Cr、Re、基于Ru的合金、基于Rh的合金、基于Ir的合金、基于Cr的合金以及基于Re的合金中选出的任意一种形成的，并且该非磁性耦合层具有0.5到1.5nm的厚度。

8.根据权利要求2到7中任一项所述的磁记录介质，其中该稳定层是由从基于CoCrZr的合金、基于CoCrTa的合金、基于CoRu的合金、基于CoCrRu的合金、基于CoCrPtZr的合金、基于CoCrPtTa的合金、基于CoPtRu的合金以及基于CoCrPtRu的合金中选出的一种或多种形成的。

9.根据权利要求1到8中任一项所述的磁记录介质，其中该非磁性基底层具有多层结构，该多层结构包括由Cr或者Cr合金形成的层以及由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf或者Ta)形成的层，该Cr合金包含Cr以及从Ti、Mo、Al、Ta、W、Ni、B、Si、Mn和V中选出的一种或多种。

10.根据权利要求1到9中任一项所述的磁记录介质，其中该磁性层是由从基于CoCrTa的合金、基于CoCrPtTa的合金、基于CoCrPtB的合金以及基于CoCrPtBM的合金(M：从Ta、Cu和Ag中选出的一种或多种)中选出的一种或多种形成的。

11.根据权利要求1到10中任一项所述的磁记录介质，其中该非磁性衬底是从玻璃衬底和硅衬底中选出的任意一种。

12.根据权利要求1到10中任一项所述的磁记录介质，其中该非磁性衬底包括由从Al、Al合金、玻璃和硅中选出的任意一种形成的衬底基底以及在该衬底基底表面上形成的NiP或者NiP合金膜。

13.根据权利要求1到12中任一项所述的磁记录介质，其中由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf或者Ta)形成的所述层具有0.5到12nm的厚度。

14.一种用于制造包括非磁性衬底的磁记录介质的方法，并且在该衬底上，按照以下顺序至少提供了非磁性基底层、非磁性中间层、磁性层和保护层，其特征在于，该方法包括由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf或者Ta)形成构成该非磁性基底层的至少一个层。

15.一种用于制造包括非磁性衬底的磁记录介质的方法，并且在该衬底上，按照以下顺序至少提供了非磁性基底层、稳定层、非磁性耦合层、磁性层和保护层，并且该稳定层与所述磁性层反铁磁性耦合，其特征在于，该方法包括由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf或者Ta)形成构成该非磁性基底层的至少一个层。

16.一种磁记录和再现装置，其特征在于包括根据权利要求1到13中任一项所述的磁记录介质，以及用于在该介质上记录数据并且从该介质再现数据的磁头。