[发明专利]导电性钙铝石型化合物的制造方法

权利要求书

1.导电性钙铝石型化合物的制造方法，它是包括将前体热处理的工序的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，

所述前体为玻璃质或结晶质，含有Ca和Al，换算成氧化物的CaO∶Al₂O₃的摩尔比为12.6∶6.4～11.7∶7.3，且CaO与Al₂O₃的合计为50摩尔％以上，

所述热处理为将所述前体保持在热处理温度T为600～1415℃、且氧分压P₀₂以Pa为单位在

P₀₂≤10⁵×exp[{7.9×10⁴/(T+273)}+14.4]

所示范围的惰性气体或真空气氛中的热处理。

2.如权利要求1所述的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，所述结晶质的前体为具有12CaO·7Al₂O₃这一组成、具有三维连接的由空隙构成的结晶结构的钙铝石型化合物，或者钙铝石型化合物的Ca和Al的一部分被其它元素取代的同型化合物。

3.如权利要求1或2所述的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前体含有的Ca的一部分或全部被相同原子数的Sr取代。

4.如权利要求1或2所述的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前体含有的Al的一部分被相同原子数的Si或Ge取代。

5.如权利要求1～4中任一项所述的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前体含有：换算成氧化物合计为0～17摩尔％的选自Si、Ge和B的至少1种；换算成氧化物的合计为0～5摩尔％的选自Li、Na和K的至少1种；换算成氧化物的合计为0～10摩尔％的选自Mg和Ba的至少1种；换算成氧化物的合计为0～8摩尔％的选自(选自Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、D y、Ho、Er、Tm和Yb的至少1种稀土类元素)和(选自Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的至少1种过渡金属元素或典型金属元素)的至少1种。

6.如权利要求1、3、4或5所述的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前体为玻璃质，在所述热处理工序之前包括加热至950～1415℃的工序，或者所述热处理工序的热处理温度T为950～1415℃。

7.如权利要求1、3、4或5所述的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前体为除钙铝石型化合物之外的具有结晶结构的结晶质，在所述热处理工序之前包括加热至1000～1415℃的工序，或者所述热处理工序的热处理温度T为1000～1415℃。

8.如权利要求1～7中任一项所述的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前体为粉末、将粉末冲压成形后的冲压成型体、或者将粉末的冲压成型体烧结后得到的烧结体。

9.如权利要求1～7中任一项所述的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前体为板状。

10.如权利要求1～7中任一项所述的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，将所述前体与选自碳、Al和Ti的任一种还原剂在容器中于密闭的气氛下进行热处理。

11.由权利要求1～10中任一项所述的方法制得的导电性钙铝石型化合物，其特征在于，导电率超过100S/cm。