[发明专利]含有针状结晶的排列体的复合体及其制造方法、以及光电转换元件、发光元件及电容器有效

专利信息
申请号: 200680018356.1 申请日: 2006-05-30
公开(公告)号: CN101189367A 公开(公告)日: 2008-05-28
发明(设计)人: 荒浪顺次;吉川暹 申请(专利权)人: 京瓷株式会社;吉川暹
主分类号: C30B29/62 分类号: C30B29/62;B82B3/00;C01G9/02;H01G9/058;H01L31/10;H01L33/00;H01M14/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 含有 针状 结晶 排列 复合体 及其 制造 方法 以及 光电 转换 元件 发光 电容器
【权利要求书】:

1.一种复合体,其具备:基体、和形成于所述基体表面并由氧化物组成的多个针状结晶的排列体,该复合体的特征在于,

所述排列体包含:所述基体侧的第一区域、和相对于所述第一区域在所述基体的相反侧的第二区域,

占据平行于所述基体的表面的面的所述针状结晶的截面的比例在所述第二区域比在所述第一区域低,所述基体的表面在所述第一区域实质上由所述针状结晶覆盖。

2.一种复合体,其具备:基体、和形成于所述基体表面并由氧化物组成的多个针状结晶的排列体,该复合体的特征在于,

所述排列体包含:所述基体侧的第一区域、和相对于所述第一区域在所述基体的相反侧的第二区域,

与所述第二区域相比较,所述第一区域的所述针状结晶的取向性低,所述基体的表面在所述第一区域实质上由所述针状结晶覆盖。

3.如权利要求2所述的复合体,其特征在于,占据平行于所述基体的表面的面的所述针状结晶的截面的比例在所述第二区域比在所述第一区域低。

4.一种复合体,其具备:基体、和形成于所述基体表面并由氧化物组成的多个针状结晶的排列体,该复合体的特征在于,

所述针状结晶包含第一针状结晶和第二针状结晶,其中,所述第一针状结晶从位于所述基体的表面上并彼此离开的多个起点的每一个开始向与所述基体表面所成的角度进入规定的角度范围内的方向延伸,所述第二针状结晶比所述第一针状结晶短,并从各起点开始向进入包含所述规定角度范围的更宽角度范围内的方向延伸,

所述基体的表面的从所述第一针状结晶露出的露出部实质上由所述第二针状结晶覆盖。

5.如权利要求1~3中任一项所述的复合体,其特征在于,

所述针状结晶包含第一针状结晶和第二针状结晶,其中,所述第一针状结晶从位于所述基体的表面上并彼此离开的多个起点的每一个开始向与所述基体表面所成的角度进入规定的角度范围内的方向延伸,所述第二针状结晶比所述第一针状结晶短,并从各起点开始向进入包含所述规定角度范围的更宽角度范围内的方向延伸,

所述基体的表面的从所述第一针状结晶露出的露出部实质上由所述第二针状结晶覆盖。

6.如权利要求1~5中任一项所述的复合体,其特征在于,在所述针状结晶中,长度方向和c轴方向一致,所述针状结晶的长度方向沿规定的方向进行取向。

7.如权利要求1~6中任一项所述的复合体,其特征在于,还包含从所述针状结晶的与所述基体相反侧的端部向所述针状结晶的排列区域外延伸的多个外部针状结晶。

8.如权利要求7所述的复合体,其特征在于,所述多个外部针状结晶在不与所述排列体发生干涉的角度范围内向任意方向延伸。

9.如权利要求1~8中任一项所述的复合体,其特征在于,所述针状结晶由氧化锌构成。

10.如权利要求1~9中任一项所述的复合体,其特征在于,在所述排列体和所述基体的界面附近存在结晶方位随机的多个微小区域。

11.一种光电转换元件,其特征在于,

具备权利要求1~10中任一项所述的复合体,

所述复合体的所述排列体为一导电型,

还具备与所述针状结晶的表面对置的反向导电型的半导体部。

12.一种发光元件,其特征在于,

具备权利要求1~10中任一项所述的复合体,

所述复合体的所述排列体为一导电型,

还具备与所述针状结晶的表面对置的反向导电型的半导体部。

13.一种电容器,其特征在于,

具备权利要求1~10中任一项所述的复合体,

所述复合体的所述排列体作为第一电极发挥作用,

还具备与所述第一电极对置的第二电极、和介于所述第一电极与所述第二电极之间的电介质。

14.一种电容器,其特征在于,

具备权利要求1~10中任一项所述的复合体,

所述复合体的所述排列体作为第一极化电极发挥作用,

还具备与所述第一极化电极对置的第二极化电极、和介于所述第一极化电极与所述第二极化电极之间的电解质溶液。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社;吉川暹,未经京瓷株式会社;吉川暹许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680018356.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top