[发明专利]设置有复合透明上电极的、应用于照明或显示图像的发光面板

说明书

技术领域

本发明涉及包括由基板支撑的有机发光二极管阵列的照明或图像显示面板。

背景技术

现有技术描述了上述面板，其中每个二极管包括夹置在接触基板的下电极与对有机电致发光层发射的光透明的上电极之间的有机电致发光层。因此这就是所谓的“顶发射”面板。这种情况下，上电极是阴极(对于“常规”二极管结构)或阳极(对于“反”结构)。

一般而言，在电极之间有其它有机层，例如用于注入和传输空穴或电子的层和/或用于优化光提取的层，尤其利用了电极之间光学腔中的共振效应。

现有技术还描述了这样的面板，其中至少一个上电极是对于多个二极管共用的且包括导电氧化物层，其通常是混合的锡铟氧化物(ITO)或混合的锡锌氧化物(IZO)。

制造这种面板需要在有机层顶上沉积ITO导电氧化物层。然而，公知的是，这种沉积的通常条件，特别是热条件或磁控溅射等离子体的应用，会存在恶化下面的有机层的风险。

为了避免或限制这种风险，现有技术给出了许多方案。

文件US5969474提议在二极管的有机层和透明导电氧化物层之间插入缓冲层。这个缓冲层旨在在沉积导电氧化物层过程中保护有机层，尤其防止它的氧化。作为缓冲层材料，所述文件提出基于钛、铬或钽的金属导电材料，或者这种金属的氮化物。因此，在该文件描述的面板中，上电极是多个二极管公用的且包括厚度等于或小于20nm的金属第一导电层以及由ITO或IZO制成且与该第一层接触的第二导电层。该第二层通常具有等于或大于50nm的厚度，且因此大于第一层的厚度。应注意的是缓冲层的厚度仍非常小，即小于20nm。特别当采用氮化物时(所述文件的实例2)，厚度只有5nm，以保持足够高的透明度和导电率。

文件WO2004/049465指出这种金属缓冲层必须足够的厚度(＞30nm)以实现有效的保护，但是，由于这个大厚度，上电极损失了大量透明度，这对发光效率不利。为了使缓冲层更具保护性且更透明，该文件提议用SiO掺杂金属缓冲层。

文件US6172459和US6140763公开了基于卟啉(porphyrinic)有机化合物的用于相对厚的缓冲层的材料，其具有导电、保护和透明的优点。

发明内容

本发明的目的是提供一种不同且更经济的方案从而限制在沉积透明上电极时恶化有机层的风险。

为了这个目的，本发明的主题是一种照明或图像显示面板，其包括由基板支撑的有机发光二极管阵列，与基板和上电极阵列接触的至少一个下电极阵列，其中每个二极管都包括夹置在下电极和上电极之间的有机电致发光层，其自身对该二极管发射的光透明，在该二极管中至少一个所述的上电极对于多个二极管是公用的并且包括第一导电层和第二导电层，透明绝缘缓冲层夹置在这两个导电层之间，且其中，在每个二极管的有源区域被限定为与下电极和上电极均直接接触的该二极管的有机电致发光层区域的情形，对于多个二极管公用的每个所述上电极(3)，所述缓冲层由窗口穿透，该窗口为该公共电极的两个导电层之间直接接触提供了直接接触区域，这些接触区域与所述多个二极管的有源区域分开。

缓冲层的窗口通常是在该层中形成的开口或“孔”。应注意的是，在文件US6172459和US6140763中所述的面板中，缓冲层没有窗口或开口，因此其也不具有其中上电极的两个导电层直接彼此接触而没有中间缓冲层的区域。这是因为对于建立导电桥，这种直接接触是不必要的，缓冲层本身就是导电的。在如文件US5739545所述的缓冲层中形成窗口或开口是没有优势的，尤其是缓冲层由ZnSe或ZnS制成的情况，因为缓冲层通过它的晶界导电。

几个二极管公用的每个上电极的第一导电层与有机电致发光层接触。每个二极管的有源区域被更精确地限定为该二极管的下电极和上电极之间重叠的区域。因此当二极管开启且发光时只有在该重叠区域中有机电致发光层才经受电场；在这些有源区域外部，没有光发射。

因此下电极和上电极的每个交叠区域，即每个交叉或重叠区域，对应一个二极管。因此该二极管的有源区域对应于该二极管的有机电致发光层与该下电极和上电极均直接接触的区域，且能够透射该二极管发射的光。

优选地，对于每个上电极，所述直接接触区域不与具有公共上电极的二极管的任意有源区域重叠。这意味着对应于所讨论的上电极的两个导电层之间的接触区域的、在缓冲层中形成的窗口或开口位于有源区域之外。因此，如果在这些接触区域中沉积第二导电层会引起下方有机层的恶化，那么这种恶化不是问题，因为它发生在二极管的有源区域之外。

二极管的有机电致发光层可以对于几个二极管是公用的。上电极阵列可以只有单电极，其公用于所有二极管。