[发明专利]用于含有金属离子氧化剂的化学机械抛光组合物中的二羟基烯醇化合物

权利要求书

1.一种抛光方法，所述方法包括将其上具有金属或金属化合物的集成电路基材的表面与抛光组合物移动接触的步骤，所述组合物包含：

1)水；

2)任选的磨料；

3)过氧化物型氧化剂；

4)至少一种：

a)约2ppm-约0.4％的含选自铁离子、铜离子或其混合物的可溶性过渡金属离子的抛光促进剂，或

b)涂覆于所述磨料上的铁抛光促进剂、铜抛光促进剂或其混合物；

其中所述抛光促进剂不是从所述基材的表面上抛除的金属离子；和

5)约6×10^-5-约4.5×10^-3摩尔/升的α，β-二羟基烯醇化合物。

2.权利要求1的方法，其中所述抛光组合物包含约1ppm-约40ppm涂覆于所述磨料上的铁离子、铜离子或其混合物，所述抛光组合物还包含约0.05％-约0.4％的有机酸螯合剂。

3.权利要求1的方法，其中所述抛光组合物包含约1ppm-约40ppm涂覆于所述磨料上的铁离子、铜离子或其混合物，所述抛光组合物还包含约0.1％-约0.3％的选自柠檬酸、乳酸或二者的有机酸螯合剂。

4.权利要求1的方法，其中所述抛光组合物包含约1ppm-约40ppm涂覆于所述磨料上的铁离子、铜离子或其混合物以及约1.1×10^-4-约3.4×10^-3摩尔/升的二羟基烯醇化合物。

5.权利要求1的方法，其中所述抛光组合物包含约1ppm-约40ppm涂覆于所述磨料上的铁离子、铜离子或其混合物以及约5.6×10^-4-约2.8×10^-3摩尔/升的二羟基烯醇化合物。

6.权利要求1的方法，其中所述二羟基烯醇化合物为抗坏血酸，其存在的量为约20-约600ppm。

7.权利要求1的方法，其中所述抛光组合物包含涂覆于所述磨料上的铁离子、铜离子或其混合物，且其中所述二羟基烯醇化合物为抗坏血酸，其存在的量为约100-约500ppm。

8.权利要求1、2或3中任一项的方法，其中所述抛光组合物包含进一步被约1ppm-约40ppm涂覆于所述磨料上的铁离子、铜离子或其混合物改性的硼酸表面改性的磨料，其中所述二羟基烯醇化合物存在的量为约5.6×10^-4-约2.8×10^-3摩尔/升。

9.权利要求1、2、3、4或5中任一项的方法，其中所述二羟基烯醇化合物包括棕榈酸抗坏血酸酯。

10.权利要求1、2、3、4或5中任一项的方法，其中所述二羟基烯醇化合物包括结构式2所示的化合物：

结构2

其中R₃为包含2-4个独立选自在相邻的原子之间具有任意的单键和/或双键的C、O、S、P和N的相连的原子的部分，且与所述α，β-二羟基烯醇部分形成5-、6-或7-元环，其中R₃结构的任何C、P或N原子可独立被包含1-20个选自在相邻的原子之间具有任意的单键和/或双键的直链、支链或含环结构中的C、O、S、P和N原子的部分取代。

11.权利要求1、2或3中任一项的方法，其中所述二羟基烯醇化合物包括约1.1×10^-4-约3.4×10^-3摩尔/升的抗坏血酸衍生物。

12.权利要求1、2或3中任一项的方法，其中所述抛光组合物包含2ppm-0.4％的可溶性过渡金属离子氧化剂，所述抛光组合物还包含约0.005％-约0.3％的有机促进剂，其中所述有机促进剂与所述可溶性金属形成配位络合物，与其他相同但不含有机促进剂的组合物的金属移除速率相比，金属或金属化合物从基材移除的速率提高至少10％，其中所述有机促进剂不包括水合茚三酮或N-乙酰基对乙氧苯胺。