[发明专利]含有萘树脂衍生物的形成光刻用涂布型下层膜的组合物

权利要求书

1.一种形成光刻用涂布型下层膜的组合物，含有下述通式(1)所示的化合物，

式中，A表示具有芳香族基团的有机基团，R₁表示羟基、烷基、烷氧基、卤基、硫醇基、氨基或酰胺基，m1是萘环上取代的A的个数，表示1～6的整数，m2是萘环上取代的R₁的个数，表示0～5的整数，m1+m2的和是1～6的整数，在6以外的情况下的剩余部表示氢原子，n表示2～7000的重复单元数。

2.一种形成光刻用涂布型下层膜的组合物，含有下述通式(2)所示的化合物，

式中，A、R₁、m1、m2和n与上述式(1)中的含义相同，Ar₁是取代或未取代的芳香族基团。

3.一种形成光刻用涂布型下层膜的组合物，含有下述通式(3)所示的化合物，

式中，X表示单键、亚甲基、碳原子数2～10的亚烷基、碳原子数2～10的具有醚键的2价的烃基、或羰基，Z表示-O-、-OC(＝O)-所示的连接基，Ar₂表示未取代或被羧酸、羧酸酯基、羟基、烷基、烷氧基、磺酸基或卤基取代的芳香环，并且，R₁、m1、m2和n与上述式(1)中的含义相同。

4.一种形成光刻用涂布型下层膜的组合物，含有下述通式(4)所示的化合物，

式中，X和Z与上述式(3)中的含义相同，Ar₁与上述式(2)中的含义相同，Ar₂与式(3)中的含义相同，并且，R₁、m1、m2和n与上述式(1)中的含义相同。

5.一种形成光刻用涂布型下层膜的组合物，含有下述通式(5)所示的化合物，

式中，X和Z与上述式(3)中的含义相同，Ar₂与上述式(3)中的含义相同，并且，R₁、m1、m2和n与上述式(1)中的含义相同。

6.如权利要求1～5的任一项所述的形成光刻用涂布型下层膜的组合物，上述形成涂布型下层膜的组合物进而含有交联性化合物。

7.如权利要求1～5的任一项所述的形成光刻用涂布型下层膜的组合物，上述形成涂布型下层膜的组合物进而含有酸、产酸剂或这两者。

8.如权利要求6所述的形成光刻用涂布型下层膜的组合物，上述形成涂布型下层膜的组合物进而含有酸、产酸剂或这两者。

9.一种光刻用涂布型下层膜，是通过将权利要求1～5的任一项所述的形成涂布型下层膜的组合物涂布在半导体基板上进行烘烤而获得的。

10.一种在半导体器件的制造中使用的光致抗蚀剂图形的形成方法，包括将权利要求1～5的任一项所述的形成涂布型下层膜的组合物涂布在半导体基板上，并进行烘烤而形成涂布型下层膜的工序。

11.一种半导体器件的制造方法，包括下述工序：利用权利要求1～5的任一项所述的形成涂布型下层膜的组合物在半导体基板上形成该涂布型下层膜的工序、在其上形成抗蚀剂膜的工序、通过曝光和显影来形成抗蚀剂图形的工序、利用抗蚀剂图形来对该涂布型下层膜进行蚀刻的工序和利用己构图的涂布型下层膜来加工半导体基板的工序。

12.一种半导体器件的制造方法，包括下述工序：利用权利要求1～5的任一项所述的形成涂布型下层膜的组合物在半导体基板上形成该涂布型下层膜的工序、在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序、通过曝光和显影来形成抗蚀剂图形的工序、利用抗蚀剂图形来对硬掩模进行蚀刻的工序、利用己构图的硬掩模来对该涂布型下层膜进行蚀刻的工序、以及利用己构图的涂布型下层膜来对半导体基板进行加工的工序。