[发明专利]荧光体、荧光体糊及发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及荧光体、荧光体糊及发光元件。

背景技术

荧光体用于阴极射线管(CRT)、场致发射显示器(FED)、表面电场显示器(SED)之类的电子束激励发光元件；液晶显示器用背光灯、三波长型荧光灯、高负载荧光灯之类的紫外线激励发光元件；等离子体显示器面板(PDP)、稀有气体灯之类的真空紫外线激励发光元件等。电子束激励发光元件、紫外线激励发光元件和真空紫外线激励发光元件由基板、荧光体层和使荧光体层激励发光的激励源构成，通常，荧光体层是通过如下方式形成：混合荧光体、有机粘合剂以及溶剂得到荧光体糊，将该糊涂敷于基板上，并在高温下(例如，500℃)进行热处理。

作为荧光体，已知Me₃MgSi₂O₈:Eu[Me是碱土类金属]之类的各种化合物(例如，特开2004-026922号公报)。

可是，从改善发光元件的性能方面出发，需求发光特性(例如，显示出足够的亮度，且经过热处理形成荧光体层时，亮度的下降较少。)得到改良的荧光体。

发明内容

本发明的目的在于提供一种荧光体，该荧光体显示足够的亮度，并且经热处理形成荧光体层时，亮度的下降较少。本发明的另一目的是提供一种用于形成高亮度的荧光体层的荧光体糊，本发明的目的还在于提供一种高亮度的发光元件。

本发明人等对荧光体进行了锐意研究，结果以至完成本发明。

即，本发明提供含有式(1)表示的化合物的荧光体。

M¹_3(1-x)Eu_3xM²_mM³_nO_3+m+2n(1)

式(1)中，M¹为选自由Ba、Sr和Ca组成的组中的至少一种，M²为选自由Mg和Zn组成的组中的至少一种，M³为选自由Si和Ge组成的组中的至少一种，以及m、n、x满足以下条件：

0.9≤m≤1.1、

1.8≤n≤2.2以及

0.00016≤x＜0.003。

本发明提供含有上述荧光体的荧光体糊。

进而本发明提供含有上述荧光体的发光元件。

附图说明

图1表示由荧光体1～5和8～10得到的荧光体的相对亮度与荧光体的Eu量[式(1)中的x值]的关系。(○：荧光体层的相对亮度，●：荧光体的相对亮度)

具体实施方式

荧光体

本发明的荧光体含有上述式(1)表示的化合物。

式(1)中，M¹由单独的钡(Ba)、单独的锶(Sr)、单独的钙(Ca)、Ba和Sr的组合、Ba和Ca的组合、Sr和Ca的组合、Ba、Sr和Ca的组合构成。M¹优选为选自由Ba、Sr和Ca组成的组中的至少2种，即，由Ba和Sr的组合、Ba和Ca的组合、Sr和Ca的组合、Ba、Sr和Ca的组合构成，进而优选由Ba和Sr的组合、Sr和Ca的组合、Ba、Sr和Ca的组合构成。

M²由单独的镁(Mg)、单独的锌(Zn)、Mg和Zn的组合构成，优选由Mg构成。

M³由单独的硅(Si)、单独的锗(Ge)、Si和Ge的组合构成，优选由Si构成。

m为0.9以上、优选0.93以上、进一步优选0.96以上，且1.1以下、优选1.08以上、进一步优选1.05以下。

n为1.8以上、优选1.9以上，进一步优选1.95以上，且2.2以下、优选2.1以下、进一步优选2.05以下。

x为0.00016以上、优选0.00033以上、进一步优选0.0007以上，且小于0.003、优选0.0027以下、进一步优选0.002以下。

在式(1)表示的化合物中，M¹由Ba和Sr的组合构成，M²由Mg构成，M³由Si构成，优选式(2)表示的化合物。

(Ba_3-a-3xSr_aEu_3x)MgSi₂O₈  (2)