[发明专利]用于射频晶体管输出匹配的方法和系统无效
| 申请号: | 200680016907.0 | 申请日: | 2006-03-14 | 
| 公开(公告)号: | CN101176205A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 | 
| 发明(设计)人: | 伊戈尔·布莱德诺夫 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L23/66 | 分类号: | H01L23/66 | 
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 | 
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 射频 晶体管 输出 匹配 方法 系统 | ||
1.一种电子RF器件(100、200、250、300、400),所述电子RF器件(100、200、250、300、400)包括输入引线(108)和输出引线(110)、晶体管(102)和用于补偿所述晶体管(102)的寄生输出电容Cout的输出补偿电路(104),
输出补偿电路(104)物理上位于所述输入引线(108)和所述晶体管(102)之间。
2.根据权利要求1所述的电子RF器件(100、200、250、300、400),所述晶体管(102)包括第一主电极、作为输出电极的第二主电极、和控制电极,所述控制电极是横向扩散金属氧化物半导体的栅电极,其中所述输出电极通过键合线Loutput连接到所述输出引线(110)。
3.根据权利要求1所述的电子RF器件(300),其中所述输出补偿电路(104)和所述晶体管(102)位于单个管芯(310)上。
4.根据权利要求2所述的电子RF器件(100、200、250、300、400),其中所述输出补偿电路(104)包括电容器Ccomp,所述电容器Ccomp通过键合线Lcomp连接到所述晶体管的输出电极。
5.根据权利要求4所述的电子RF器件(100、200、250、300、400),其中由所述键合线Lcomp确定的电感被用作反馈信号。
6.根据权利要求2所述的电子RF器件(100、200、250、300、400),其中所述电子RF器件(100、200、250、300、400)还包括前置匹配电路(106),通过键合线Lpre match连接到所述控制电极。
7.根据权利要求6所述的电子RF器件(200、250),其中键合线Lcomp和键合线Lpre match之间的互感耦合被用作反馈机制的一部分。
8.根据权利要求6所述的电子RF器件(100、300),所述前置匹配电路(106)包括通过键合线Lpmi互连的多个元件,其中键合线Lcomp和键合线Lpmi之一之间的互感耦合被用作反馈机制的一部分。
9.根据权利要求6所述的电子RF器件(400),其中所述电子RF器件(400)还包括附加的变换电路(402)。
10.一种电子RF器件(100、200、250、300、400)的制造方法,该方法包括:
设置衬底;
设置所述电子RF器件(100、200、250、300、400)的输入引线(108)和输出引线(110)、RF晶体管(102)和输出补偿电路(104);
在所述输出补偿电路(104)和所述RF晶体管(102)的输出电极之间以及在所述RF晶体管(102)的所述输出电极和所述输出引线(110)之间设置键合线,
其中设置RF晶体管和输出补偿电路(104)的操作包括:将所述输出补偿电路(104)物理上置于所述输入引线(108)和所述RF晶体管(102)之间。
11.根据权利要求10所述的制造方法,其中所述方法还包括:
设置连接到所述晶体管(102)的控制电极的前置匹配电路(106);
选择一定程度的键合线Lcomp和连接到所述前置匹配电路(106)的键合线之间的互感耦合。
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