[发明专利]保护电路和使用了它的半导体装置及发光装置无效
| 申请号： | 200680016476.8 | 申请日： | 2006-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101176202A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 冈崎充;高桥直树;清水彰;中田健一 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/60;H01L27/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 郭定辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护 电路 使用 半导体 装置 发光 | ||
1.一种经由包含有效的电感成分的线路与作为保护对象的电路相连接的保护电路，其特征在于，包括：
第1晶体管，设置在本保护电路与上述线路的连接点至接地的路径上；和
第2晶体管，设置在上述作为保护对象的电路与上述线路的连接点至接地的路径上，从上述连接点牵引出与流过上述第1晶体管的电流相应的电流。
2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于：
上述第1晶体管、第2晶体管是基极与射极共连的双极型晶体管。
3.根据权利要求2所述的保护电路，其特征在于：
上述第1晶体管、第2晶体管是NPN型双极型晶体管，上述第1晶体管的集电极连接于本保护电路与上述线路的连接点，上述第2晶体管的集电极连接于上述作为保护对象的电路与上述线路的连接点，其被共连的射极接地；
该保护电路还包括
设置在上述第1晶体管的基极-射极之间的电阻，和
阴极连接于上述第1晶体管的集电极、阳极连接于上述第1晶体管的基极的二极管。
4.根据权利要求1至3的任一项所述的保护电路，其特征在于：
上述第1晶体管、第2晶体管的晶体管尺寸被设定成大致相同。
5.根据权利要求1至3的任一项所述的保护电路，其特征在于：
本保护电路与上述作为保护对象的电路被集成在同一个半导体衬底上，上述作为保护对象的电路和本保护电路分别具有焊盘，
其各个焊盘通过相当于上述线路的键合线，经由设置于安装上述半导体衬底的基体上的端子连接起来。
6.一种半导体装置，其特征在于，包括：
与发光二极管的阴极相连、控制上述发光二极管的发光量的驱动电路；和
将上述驱动电路作为保护对象电路而设的权利要求1至3的任一项所述的保护电路。
7.一种发光装置，其特征在于，包括：
发光二极管；和
驱动上述发光二极管的权利要求6所述的半导体装置。
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