[发明专利]有机电致发光器件

权利要求书

1.一种有机电子器件，其包括至少一个有机层，所述有机层包括至少一种芳香族硼酸或二取代硼酸衍生物。

2.根据权利要求1的有机电子器件，其特征在于所述硼原子是三取代的，所述硼酸或二取代硼酸衍生物是环状的硼酸酸酐、环状的硼酸酰亚胺、硼酸酯、硫代硼酸酯、硼酰胺、硼酸氨基酯、硼酸氮化物、二取代硼酸酸酐、二取代硼酰亚胺、二取代硼酸酯、硫代二取代硼酸酯、二取代硼酸酰胺、二取代硼酸氮化物或低聚或聚合的硼酸酸酐、硼酰亚胺、硼酸酯或硫代硼酸酯。

3.权利要求1或2的有机电子器件，其特征在于所述硼酸或二取代硼酸衍生物形成玻璃化转变温度T_g高于70℃的玻璃状膜。

4.权利要求1-3的一项或多项的有机电子器件，其特征在于所述硼酸或二取代硼酸衍生物的分子量至少为250g/mol。

5.权利要求1-4的一项或多项的有机电子器件，其选自有机或聚合的发光二极管(OLEDs，PLEDs)，有机场效应晶体管(O-FETs)，有机薄膜晶体管(O-TFTs)，有机发光晶体管(O-LETs)，有机集成电路(O-ICs)，有机太阳能电池(O-SCs)，有机场猝熄器件(O-FQDs)，有机发光电池(LECs)，有机光感受器和有机激光器二极管(O-lasers)。

6.权利要求1-5的一项或多项的有机电子器件，其特征在于所述有机电子器件包括阳极、阴极和至少一个呈现荧光或磷光的发光层。

7.权利要求6的有机电子器件，其特征在于还包括选自空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传递层和/或电子注入层的层。

8.权利要求1-7的一项或多项的有机电子器件，其特征在于在发光层中硼酸或二取代硼酸衍生物与荧光或磷光掺杂物结合使用。

9.权利要求8的有机电子器件，其特征在于所述荧光掺杂物选自单苯乙烯基胺、二苯乙烯基胺、三苯乙烯基胺、四苯乙烯基胺和芳基胺类。

10.权利要求8的有机电子器件，其特征在于所述磷光掺杂物选自以下类别的金属络合物，其至少包括一种原子序数大于20、优选大于38但小于84的元素。

11.权利要求1-10的一项或多项的有机电子器件，其特征在于所述硼酸或二取代硼酸衍生物作为纯物质或混合物，在电子传递层中用作电子传递材料，和/或该硼酸或二取代硼酸衍生物作为纯物质或混合物在空穴阻挡层中用作空穴阻挡材料。

12.权利要求1-11的一项或多项的有机电子器件，其特征在于所述硼酸或二取代硼酸衍生物作为纯物质或混合物在有机电子器件的空穴传输层或空穴注入层中用作空穴传递材料。

13.权利要求1-12的一项或多项的有机电子器件，其特征在于所述硼酸或二取代硼酸衍生物在荧光或磷光有机电致发光器件中的发光层中优选与基质材料结合用作荧光或磷光掺杂物。