[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有存储元件的半导体器件，所述存储元件包括：

含绝缘体的第一导电层；

形成于所述第一导电层上的有机化合物层；以及

形成于所述有机化合物层上的第二导电层。

2.一种具有存储元件的半导体器件，所述存储元件包括：

第一导电层；

形成于所述第一导电层上的有机化合物层；以及

含绝缘体且形成于所述有机化合物层上的第二导电层。

3.一种具有存储元件的半导体器件，所述存储元件包括：

含第一绝缘体的第一导电层；

形成于所述第一导电层上的有机化合物层；以及

含第二绝缘体且形成于所述有机化合物层上的第二导电层。

4.如权利要求1到3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，在向所述存储元件施加电动作从而写入数据之后，所述第一导电层和所述第二导电层彼此部分接触。

5.如权利要求1到3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，在向所述存储元件施加电动作从而写入数据之后，所述有机化合物层的厚度发生变化。

6.一种用于制造具有存储元件的半导体的方法，包括：

形成含绝缘体的第一导电层；

在所述第一导电层上形成有机化合物层；以及

在所述有机化合物层上形成第二导电层。

7.一种用于制造具有存储元件的半导体的方法，包括：

形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成有机化合物层；以及

在所述有机化合物层上形成含绝缘体的第二导电层。

8.一种用于制造具有存储元件的半导体的方法，包括：

形成含第一绝缘体的第一导电层；

在所述第一导电层上形成有机化合物层；以及

在所述有机化合物层上形成含第二绝缘体的第二导电层。

9.一种用于制造具有存储元件的半导体的方法，包括：

形成第一导电层；

通过向所述第一导电层添加绝缘体从而在所述第一导电层中形成绝缘体混合区域；

在所述绝缘体混合区域上形成有机化合物层；以及

在所述有机化合物层上形成第二导电层。

10.一种用于制造具有存储元件的半导体的方法，包括：

形成第一导电层；

通过修改所述第一导电层的一部分表面从而在所述第一导电层中形成绝缘体混合区域；

在所述绝缘体混合区域上形成有机化合物层；以及

在所述有机化合物层上形成第二导电层。

11.一种用于制造具有存储元件的半导体的方法，包括：

形成第一导电层；

向所述第一导电层添加金属元素或半导体元素；

通过使所述金属元素或半导体元素氧化，在所述第一导电层中形成绝缘体混合区域；

在所述绝缘体混合区域上形成有机化合物层；以及

在所述有机化合物层上形成第二导电层。

12.一种用于制造具有存储元件的半导体的方法，包括：

形成第一导电层；

通过向所述第一导电层添加第一绝缘体从而在所述第一导电层中形成含第一绝缘体的区域；

在所述区域上形成有机化合物层；以及

在所述有机化合物层上形成含第二绝缘体的第二导电层。

13.一种用于制造具有存储元件的半导体的方法，包括：

形成第一导电层；

通过修改所述第一导电层的一部分表面，在所述第一导电层中形成含第一绝缘体的区域；

在所述区域上形成有机化合物层；以及

在所述有机化合物层上形成含第二绝缘体的第二导电层。

14.一种用于制造具有存储元件的半导体的方法，包括：

形成第一导电层；

向所述第一导电层添加金属元素或半导体元素；

通过使所述金属元素或半导体元素氧化，在所述第一导电层中形成含第一绝缘体的区域；

在所述区域上形成有机化合物层；以及

在所述有机化合物层上形成含第二绝缘体的第二导电层。