[发明专利]涂覆基板和制备涂覆基板的方法

权利要求书

1.用薄层叠层涂覆的透明玻璃质基板，其包括：

i)至少一层氧化钛基底层，和

ii)氧化锡基主层，其厚度大于250hm，

所述涂覆基板混浊度小于2％，优选小于1.5％，更优选小于1％。

2.根据前一权利要求的基板，其特征在于：所述氧化锡基涂层ii)的厚度大于350hm，优选大于400nm，更优选大于500nm。

3.根据前述任一权利要求的基板，其特征在于：所述氧化钛基涂层i)的厚度大于3nm，优选大于5nm，更优选大于7nm，同时低于45nm，优选低于25nm，更优选低于15nm。

4.根据前述任一权利要求的基板，其特征在于：所述氧化钛基涂层i)被直接沉积在所述玻璃上。

5.根据前述任一权利要求的基板，其特征在于：所述氧化锡基涂层ii)掺杂了一种或多种元素，其选自氟、锑、铝、铬、钴、铁、锰、镁、镍、钒和锌，优选选自氟和锑。

6.根据前述任一权利要求的基板，其特征在于：所述叠层的薄层电阻低于40欧姆/平方，优选低于15欧姆/平方，更优选低于12欧姆/平方。

7.根据前述任一权利要求的基板，其特征在于：所述涂覆基板的标准辐射系数低于0.3，优选低于0.15，更优选低于0.12。

8.根据前述任一权利要求的基板，其特征在于：所述涂覆基板的标准辐射系数低于0.12，且所述混浊度低于2％，优选低于1％。

9.根据权利要求1-7的任一项的基板，其特征在于：所述混浊度低于1％，且所述涂覆基板的标准辐射系数低于0.3，优选低于0.15。

10.根据前述任一权利要求的基板，其特征在于：所述涂覆基板的薄层电阻低于12欧姆/平方，且所述混浊度低于2％，优选低于1％。

11.根据权利要求1-9中任一项的基板，其特征在于：所述混浊度低于1％，且所述每平方的电阻低于4欧姆/平方，优选低于20欧姆/平方。

12.根据前述任一权利要球的基板，其特征在于：所述叠层通过气相热解(CVD)沉积。

13.根据前述任一权利要求的基板，其特征在于：所述底层(i)在浮抛窑中沉积。

14.根据前述任一权利要求的基板，其特征在于：所述底层(i)含有第一，氧化钛基涂层(ia)和第二，氧化硅基涂层(ib)。

15.根据前一权利要求的基板，其特征在于：所述氧化硅基涂层(ib)的厚度范围在15到50hm之间，优选20到40hm之间。

16.制备一种涂覆基板的方法，其特征在于以下步骤：

a)将至少一层金属氧化物基底层(i)通过气相热解沉积在透明玻璃质基板上；

b)采用下列前体的气化的混合物通过气相热解沉积厚度大于250nm的氧化锡基涂层(ii)：锡源、氟源和水；所述水/锡源的体积比低于10，优选低于5，更优选低于1。

17.根据前一权利要求的方法，其特征在于：采用非氯化的前体沉积所述至少一层金属氧化物基底层(i)。

18.根据权利要求16和17的任一项的方法，其特征在于：当玻璃带温度在600到750℃之间的范围，优选在620到720℃之间的范围，更优选在650到700℃之间的范围时，将所述底层沉积在玻璃带上。

19.根据权利要求17和18的任一项的方法，其特征在于：所述用于沉积底层(i)的前体是金属，特别是钛。

20.根据权利要求16到19的任一项的方法，其特征在于：所述用于沉积涂层(ii)的前体是有机的和/或卤化的锡的化合物。