[发明专利]非接触型信息存储介质及其制造方法

权利要求书

1.一种非接触型信息存储介质，其特征在于，包括：

具有存储信息、处理信号的功能的半导体IC芯片，和

由具有热塑性的基体材料构成、形成有用于与外围设备进行信号的交换的天线方向图的树脂基板；

其中，设置在所述树脂基板上的所述天线方向图的一个端部上的天线端子与所述半导体IC芯片的电极端子以相对的方式进行安装，并且在所述天线方向图与所述半导体IC芯片的电路形成面之间设置有至少5μm的间隙。

2.如权利要求1所述的非接触型信息存储介质，其特征在于：所述间隙形成于所述半导体IC芯片的所述电路形成面中、形成有模拟电路以及接地电路的面与所述天线端子之间。

3.如权利要求1所述的非接触型信息存储介质，其特征在于，所述天线端子与所述半导体IC芯片的所述电极端子的安装结构为下述两种方式：使用各向异性导电性树脂，经由所述各向异性导电性树脂中的导电体颗粒将设置在所述电极端子上的隆起部与所述天线端子连接的方式；或者使用绝缘性树脂，使设置在所述电极端子上的隆起部与所述天线端子直接接触而连接的方式。

4.如权利要求2或3中的任意一项所述的非接触型信息存储介质，其特征在于：在所述半导体IC芯片的所述电路形成面中的至少形成有所述模拟电路以及所述接地电路的面上，形成有5μm以上并比形成在所述半导体IC芯片的所述电极端子的表面上的隆起部的高度薄的膜厚的间隙限制用绝缘层。

5.如权利要求1所述的非接触型信息存储介质，其特征在于：在所述天线端子之间的所述树脂基板上，形成有具有比所述天线端子的厚度大5μm以上、并且比形成在所述半导体IC芯片的所述电极端子的表面上的隆起部的高度与所述天线端子的厚度之和薄的膜厚的间隙限制用绝缘层。

6.如权利要求1所述的非接触型信息存储介质，其特征在于：在包括所述天线端子的所述天线方向图上并且是与所述半导体IC芯片重合的区域上，形成具有5μm以上、并且比形成在所述半导体IC芯片的所述电极端子的表面上的隆起部的高度薄的膜厚的间隙限制用绝缘层。

7.如权利要求4～6中的任意一项所述的非接触型信息存储介质，其特征在于：所述间隙限制用绝缘层由热固化性树脂材料、热塑性树脂材料、紫外线固化树脂中的任意一种或其混合物形成。

8.如权利要求1所述的非接触型信息存储介质，其特征在于：在与安装有所述半导体IC芯片的面相对的面上，设置具有至少比多个所述天线端子的面积大的形状的加强板。

9.如权利要求1所述的非接触型信息存储介质，其特征在于：所述树脂基板的基体材料由聚对苯二甲酸乙二醇酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯构成。

10.一种非接触型信息存储介质的制造方法，其特征在于，包括：

向在聚酯类的基体材料上形成了天线方向图的树脂基板的天线端子上供给绝缘性粘接树脂或者各向异性导电性树脂的树脂供给工序；

将在电极端子的表面上形成了具有至少5μm以上的厚度的隆起部的半导体IC芯片配置在所述树脂基板上，从而将所述隆起部与所述天线端子进行对齐的对齐工序；

对所述半导体IC芯片进行按压并加热，从而使所述隆起部与所述天线端子直接接触或经由所述各向异性导电性树脂电气性连接的安装工序；和

使所述绝缘性粘接树脂或者各向异性导电性树脂固化的固化工序；

其中，将所述安装工序以及所述固化工序中的加压力设为0.5MPa～2.5MPa的范围内。

11.如权利要求10所述的非接触型信息存储介质的制造方法，其特征在于：

在所述树脂供给工序之前，还设有在与安装有所述半导体IC芯片的面相对的面上、将具有至少比多个所述天线端子的面积大的形状的硬质板粘接在所述树脂基板的基体材料上的工序；

在所述固化工序后，还设有将所述硬质板除去的工序。

12.如权利要求10所述的非接触型信息存储介质的制造方法，其特征在于：所述半导体IC芯片在所述电路形成面中的至少形成有模拟电路以及接地电路的面上，形成有5μm以上并比形成在所述半导体IC芯片的所述电极端子的表面上的所述隆起部的高度薄的膜厚的间隙限制用绝缘层。