[发明专利]从半导体表面脱除颗粒的方法有效
| 申请号： | 200680010875.3 | 申请日： | 2006-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101151714A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·普费佛 | 申请（专利权）人： | SEZ股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B08B3/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 龙传红 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 脱除 颗粒 方法 | ||
1.一种从半导体表面脱除颗粒的方法，所述方法包括其中将含水清洁介质提供到所述半导体表面的清洁步骤，其中所述清洁介质包含以胶体形式悬浮的清洁颗粒和在所述清洁步骤期间将机械搅拌施加到要脱除的颗粒至少一部分时间。
2.权利要求1的方法，其中所述清洁颗粒由无机材料组成。
3.权利要求1的方法，其中所述清洁颗粒由胶体二氧化硅组成。
4.权利要求1的方法，其中所述清洁颗粒由与要清洁的表面的至少一种材料在化学上相同的材料组成。
5.权利要求1的方法，其中平均粒度为1-100nm。
6.权利要求1的方法，其中在半导体表面上的器件具有特定的最小器件尺寸和所述清洁颗粒的平均粒度小于所述最小器件尺寸的一半。
7.权利要求1的方法，其中所述清洁介质中颗粒的浓度为0.0001-1g/l。
8.权利要求1的方法，其中所述颗粒的颗粒比表面大于100m2/g。
9.权利要求1的方法，其中所述清洁介质的离子强度小于2mol/l。
10.权利要求1的方法，其中所述清洁介质的pH值小于10。
11.权利要求1的方法，其中所述清洁溶液包含氧化剂。
12.权利要求1的方法，其中所述清洁溶液进一步包含润湿剂。
13.权利要求1的方法，进一步包括在所述清洁步骤之后采用含水漂洗介质的漂洗步骤，其中所述漂洗介质基本不包含颗粒。
14.权利要求13的方法，其中在所述清洁步骤之后进行所述漂洗步骤而没有所述表面的中间干燥。
15.权利要求13的方法，其中在停止所述清洁步骤之前开始所述漂洗步骤。
16.权利要求1的方法，其中通过超声能量施加所述机械搅拌。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
