[发明专利]荧光体、荧光体片及其制造方法、和使用该荧光体的发光装置

权利要求书

1.一种荧光体，由通式MmAaBbOoNn:Z表示(M元素是价数为II价的1种以上的元素，A元素是价数为III价的1种以上的元素，B元素是价数为IV价的1种以上的元素，O是氧，N是氮，Z是1种以上的活化剂)，其中，

5.0＜(a+b)/m＜9.0，0≤a/m≤2.0，0≤o＜n，n＝2/3m+a+4/3b-2/3o，用波长为250nm～430nm范围的光激发时，发光光谱中最大峰值波长在400nm～500nm的范围。

2.权利要求1所述的荧光体，其中，0.0≤a/m≤2.0，4.0≤b/m≤8.0，6.0≤(a+b)/m≤8.0，0.0＜o/m≤3.0。

3.权利要求1或2所述的荧光体，其中，0≤x≤2时，a＝x×m，b＝(6-x)×m，o＝(1+x)×m，n＝(8-x)×m。

4.权利要求1～3中任一项所述的荧光体，其中，用波长350nm～430nm范围的单色光激发时，将波长400nm～500nm范围的发光光谱的最大发光强度作为P_max，将最小发光强度作为P_min时，P_min/P_max为30％以上。

5.权利要求1～4中任一项所述的荧光体，其中，

M元素是选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、原子价为II价的稀土元素中的一种以上的元素；

A元素是选自Al、Ga、In、Tl、Y、Sc、P、As、Sb、Bi中的一种以上的元素；

B元素是选自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Mo、W、Cr、Pb、Zr中的一种以上的元素；

Z元素是选自稀土元素、过渡金属元素中的一种以上的元素。

6.权利要求1～5中任一项所述的荧光体，其中，

M元素是选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的一种以上的元素；

A元素是选自Al、Ga、In中的一种以上的元素；

B元素是Si和/或Ge；

Z元素是选自Eu、Ce、Pr、Tb、Yb、Mn中的一种以上的元素。

7.权利要求1～6中任一项所述的荧光体，其中，M元素是Sr，A元素是Al，B元素是Si，Z元素是Eu。

8.权利要求1～7中任一项所述的荧光体，其中，该荧光体表示为通式MmAaBbOoNn:Zz时，M元素和Z元素的摩尔比z/(m+z)的值为0.0001～0.5。

9.权利要求1～8中任一项所述的荧光体，其中，含有16.0重量％～25.0重量％的Sr、2.0重量％～9.0重量％的Al、0.5重量％～11.5重量％的O、23.0重量％～32.0重量％的N、超过0且为3.5重量％以下的Eu，并且以波长250nm～430nm范围的光激发时，发光光谱中最大峰波长为400nm～500nm的范围。

10.权利要求1～9中任一项所述的荧光体，其中，在采用使用了CoKα射线的粉末法测出的X射线衍射图案中，在布拉格角(2θ)为35°～37°的范围内出现了强度最强的衍射峰，并且，采用该粉末法测出的X射线衍射图案在布拉格角(2θ)为23.6°～25.6°、33°～35°、39.7°～40.7°、43°～44°的范围内分别发现2个、2个、1个、1个特征衍射峰，将在布拉格角(2θ)为35°～37°的范围内看到的强度最强衍射峰的相对强度作为100％时，这些衍射峰的相对强度为2.0％～40％。

11.权利要求1～10中任一项所述的荧光体，其中，该荧光体中含有的生成相的结晶具有斜方晶系结构。

12.权利要求1～11中任一项所述的荧光体，其中，该荧光体中含有的生成相的晶格的单位体积为345³～385³。

13.权利要求1～11中任一项所述的荧光体，其中，该荧光体中含有的生成相的晶格的单位体积为353³～385³。

14.权利要求1～13中任一项所述的荧光体，其中，该荧光体中含有的生成相的晶格的晶格常数为a是7.85～8.28，b是9.26～9.58，c是4.80～4.92。