[发明专利]磁盘用玻璃衬底的制造方法和磁盘的制造方法有效
| 申请号: | 200680010214.0 | 申请日: | 2006-03-27 | 
| 公开(公告)号: | CN101151224A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 | 
| 发明(设计)人: | 矶野英树 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 | 
| 主分类号: | C03C21/00 | 分类号: | C03C21/00;G11B5/73;G11B5/84 | 
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁盘 玻璃 衬底 制造 方法 | ||
1.一种磁盘用玻璃衬底的制造方法,包含把玻璃衬底进行化学增强的化学增强步骤,其特征在于:
所述化学增强步骤至少具有2个步骤:
在第一步骤中,使含有离子半径比所述玻璃衬底中包含的离子的离子半径还大的第一离子的化学增强处理液与玻璃衬底接触,进行离子交换;
在第二以后的步骤中,使含有第二以后的离子的处理液与玻璃衬底接触,所述第二以后的离子是二价离子。
2.根据权利要求1所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法,其特征在于:
所述第二以后的离子是Pb2+、Cd2+、Zn2+、Hg2+、Ca2+、Sr2+或者Ba2+中的任意一种。
3.一种磁盘用玻璃衬底的制造方法,包含把玻璃衬底进行化学增强的化学增强步骤,其特征在于:
所述化学增强步骤至少具有2个步骤:
在使所述玻璃衬底和化学增强处理液接触的第一步骤中,使含有离子半径比所述玻璃衬底中包含的碱金属离子的离子半径还大的第一离子的化学增强处理液与所述玻璃衬底接触,进行离子交换;
在第二以后的步骤中,使含有离子半径比所述第一离子的离子半径还小的第二以后的离子的处理液与所述玻璃衬底接触。
4.一种磁盘用玻璃衬底的制造方法,包含把玻璃衬底进行化学增强的化学增强步骤,其特征在于:
所述化学增强步骤至少具有2个步骤:
在使所述玻璃衬底和化学增强处理液接触的第一步骤中,使含有离子半径比所述玻璃衬底中包含的离子的离子半径还大的第一离子的化学增强处理液与所述玻璃衬底接触,进行离子交换;
在第二以后的步骤中,使含有离子半径与所述玻璃衬底中包含的碱金属离子中最小的碱金属离子的离子半径相同的第二以后的离子的处理液与所述玻璃衬底接触。
5.根据权利要求3或4所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法,其特征在于:
所述第二以后的离子在所述第一步骤中存在于所述化学增强处理液中;
所述第二以后的步骤中的所述处理液中的所述第二以后的离子的比例比所述第一步骤中的所述化学增强处理液中的所述第二以后的离子的比例高。
6.根据权利要求3~5中的任意一项所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法,其特征在于:
所述第二以后的离子是锂离子或钠离子。
7.根据权利要求3~6中的任意一项所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法,其特征在于:
使所述第一步骤的所述化学增强处理液和所述玻璃衬底接触的时间比使所述第二以后的步骤中的所述处理液和所述玻璃衬底接触的时间还长。
8.根据权利要求1~7中的任意一项所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法,其特征在于:
所述玻璃衬底的主表面的微小起伏的最大值在各边为800μm和980μm的矩形的测定范围内低于5nm。
9.一种磁盘用玻璃衬底的制造方法,包含处理含有碱金属元素的玻璃衬底的表面的步骤,其特征在于:
通过把比所述玻璃衬底中含有的碱金属离子的离子半径还相对大的碱金属离子与所述玻璃衬底中含有的碱金属离子进行离子交换来将所述玻璃衬底的表面进行化学增强处理后,进行使与所述玻璃衬底中含有的最小碱金属离子相同或相对小的碱金属离子与所述玻璃衬底的表面接触的处理。
10.一种磁盘用玻璃衬底的制造方法,包含处理含有碱金属元素的玻璃衬底的表面的步骤,其特征在于:
使包含比所述玻璃衬底中含有的碱金属离子的离子半径还相对大的碱金属离子的第一熔融盐与所述玻璃衬底的表面接触,把所述玻璃衬底的表面进行化学增强处理后,使包含与所述玻璃衬底中含有的最小碱金属离子相同或相对小的碱金属离子作为主成分的第二熔融盐附着在所述玻璃衬底的表面上,并冷却处理附着有所述第二熔融盐的玻璃衬底。
11.根据权利要求10所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法,其特征在于:
在气氛中把所述玻璃衬底冷却处理到所述第二熔融盐的凝固点以下的温度。
12.一种磁盘的制造方法,其特征在于:
在利用权利要求1~11中的任意一项所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法制造的磁盘用玻璃衬底上至少形成磁性层。
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