[发明专利]等离子体处理系统中确定清洁或调节处理终点的方法和装置

权利要求书

1.一种通过测量层的厚度来确定处理的终点的方法，所述层通过先前处理沉积在表面上，所述方法包括以下步骤：

提供与所述表面共面的传感器，其中，所述传感器被配置为测量所述厚度；

将等离子体室暴露给等离子体，其中，通过所述暴露来改变所述厚度；

确定所述厚度作为时间的函数；以及

确定所述厚度中的稳态条件，所述稳态条件的特征在于所述厚度基本上不变的测量结果，所述稳态条件的开始表示所述终点。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述传感器为共面离子流探针。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述传感器为共面石英晶体微量天平。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理为室预调节处理。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理为无晶自动清洁处理。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理为表面化学性质控制处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理室为电容耦合的等离子体处理室。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理室为电感耦合的等离子体处理室。

9.一种通过测量层的厚度来确定处理的终点的方法，所述层通过先前处理沉积在表面上，所述方法包括以下步骤：

提供从所述表面凹进的传感器，其中，所述传感器被配置为测量所述厚度；

将等离子体室暴露给等离子体，其中，通过所述暴露来改变所述厚度；

确定所述厚度作为时间的函数；以及

确定所述厚度中的稳态条件，所述稳态条件的特征在于所述厚度基本上不变的测量结果，所述稳态条件的开始表示所述终点。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述传感器为干涉仪。

11.一种用于通过测量层的厚度来确定处理的终点的装置，所述层通过先前处理沉积在表面上，所述装置包括：

用于提供与所述表面共面的传感器的装置，其中，所述传感器被配置为测量所述厚度；

用于将等离子体室暴露给等离子体的装置，其中，通过所述暴露来改变所述厚度；

用于确定所述厚度作为时间的函数的装置；以及

用于确定所述厚度中的稳态条件的装置，所述稳态条件的特征在于所述厚度基本上不变的测量结果，所述稳态条件的开始表示所述终点。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述传感器为共面离子流探针。

13.根据权利要求11所述的装置，其中，所述传感器为共面石英晶体微量天平。

14.根据权利要求11所述的装置，其中，所述处理为室预调节处理。

15.根据权利要求11所述的装置，其中，所述处理为无晶自动清洁处理。

16.根据权利要求11所述的装置，其中，所述处理为表面化学性质控制处理。

17.根据权利要求11所述的装置，其中，所述等离子体处理室为电容耦合等离子体处理室。

18.根据权利要求11所述的装置，其中，所述等离子体处理室为电感耦合等离子体处理室。