[发明专利]氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件

权利要求书

1.一种氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，在氮化镓衬底上制造所述氮化镓系化合物半导体激光元件，其特征在于，作为上述氮化镓衬底的结晶生长面，使用在(0001)Ga面的<1-100>方向上以绝对值倾斜0.16度以上、5.0度以下的面，且以0.5/秒以上、5.0/秒以下的生长速度使活性层生长。

2.如权利要求1所述的氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，其特征在于，上述半导体激光元件的激发波长为395～405nm。

3.如权利要求1或2所述的氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，其特征在于，将上述半导体激光元件的谐振器面作为结晶的自然解理面。

4.如权利要求1～3中任意一项所述的氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，其特征在于，将上述半导体激光元件的谐振器面的出射面调整为反射率达到10～30％，在上述谐振器面的后面形成反射率为70％以上的端面涂层。

5.如权利要求1～3中任意一项所述的氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，其特征在于，在上述半导体激光元件的谐振器面的出射面形成反射率为10％以下的端面涂层，在上述谐振器面的后面形成反射率为70％以上的端面涂层。

6.一种氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，在氮化镓衬底上制造所述氮化镓系化合物半导体激光元件，其特征在于，作为上述氮化镓衬底的结晶生长面，使用将向(0001)Ga面的<1-100>方向的偏离角度作为A、向(0001)Ga面的<11-20>方向的偏离角度作为B时(A²+B²)的平方根为0.17以上、7.0以下的面，且以0.5/秒以上、5.0/秒以下的生长速度使活性层生长。

7.如权利要求6所述的氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，其特征在于，上述半导体激光元件的激发波长为395～405nm。

8.如权利要求6或7所述的氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，其特征在于，将上述半导体激光元件的谐振器面作为结晶的自然解理面。

9.如权利要求6～8中任意一项所述的氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，其特征在于，将上述半导体激光元件的谐振器面的出射面调整为反射率达到10～30％，在上述谐振器面的后面形成反射率为70％以上的端面涂层。

10.如权利要求6～8中任意一项所述的氮化镓系化合物半导体激光元件，其特征在于，在上述半导体激光元件的谐振器面的出射面形成反射率为10％以下的端面涂层，在上述谐振器面的后面形成反射率为70％以上的端面涂层。

11.一种氮化镓系化合物半导体激光元件，形成在氮化镓衬底上，其特征在于，上述氮化镓衬底的结晶生长面具有在(0001)Ga面的<1-100>方向以绝对值倾斜0.16度以上、5.0度以下的面，且以5/秒以上、5.0/秒以下的生长速度使活性层生长。

12.一种氮化镓系化合物半导体激光元件，形成在氮化镓衬底上，其特征在于，上述氮化镓衬底的结晶生长面具有将向(0001)Ga面的<1-100>方向的偏离角度作为A、向(0001)Ga面的<11-20>方向的偏离角度作为B时(A²+B²)的平方根为0.17以上、7.0以下的面，且以0.5/秒以上、5.0/秒以下的生长速度使活性层生长。