[发明专利]荧光体及其制造方法

权利要求书

1.一种荧光体，其含有在具有β型Si₃N₄晶体结构的晶体中固溶Eu的赛纶晶体，通过照射激发源而发出在500nm～600nm范围的波长具有发光峰的绿色荧光，所述的β型Si₃N₄晶体结构由组成式Eu_aSi_bAl_cO_dN_e表示，式中，a+b+c+d+e＝1，且参数a、c、d满足下列条件：

0.00035≤a≤0.002  ......(1)

0.008≤c≤0.025    ......(2)

0.0005≤d≤0.01    ......(3)。

2.根据权利要求1所记载的荧光体，其中，所述的参数a、b、c、d、e满足下述条件：

0.72≤(a+b+c)/(d+e)≤0.78。

3.根据权利要求1或2所记载的荧光体，其中，所述的赛纶晶体由fSi₃N₄·gAlN·hEu₂O₃的摩尔组成表示，式中，f+g+h＝1，且参数g和h满足0.04≤g≤0.14，0.002≤h≤0.006的条件。

4.权利要求1-3中任一项所记载的荧光体的制造方法，其中，包含将氮化硅粉末、氮化铝粉末和含Eu的原料的混合物在氮气气氛中、1820～2200℃的温度范围内进行烧成的工序。

5.根据权利要求4所记载的荧光体的制造方法，其中，含Eu的原料是氧化铕，氮化硅、氮化铝和氧化铕的混合比例由iSi₃N₄·jAlN·kEu₂O₃的摩尔组成表示，式中，i+j+k＝1，且参数j和k满足0.04≤j≤0.14，0.002≤k≤0.006的条件。