[发明专利]带有可控制切割边缘的用于分离产品的方法和设备、及分离的产品无效
| 申请号： | 200680009225.7 | 申请日： | 2006-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101147241A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | H·J·范埃格蒙德;J·L·J·齐芝洛 | 申请（专利权）人： | 飞科公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B23K26/06;B23K26/40;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 控制 切割 边缘 用于 分离 产品 方法 设备 | ||
1.分离产品的方法，特别是用激光切割方法在半导体电路中，从共同载体分离产品的方法，其中，切口由第一激光束制成，切割边缘的表面粗糙度通过第二激光的作用被减小。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，切口由第一激光束通过多次加工运行制成。
3.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，从第一激光束中心线到切割边缘的距离优选为大于第二激光束中心线到切割边缘的距离。
4.根据上述任意一项权利要求的方法，其特征在于，第一激光束比第二激光束以较低的频率波动。
5.根据上述任意一项权利要求的方法，其特征在于，第二激光束有基本恒定的信号强度。
6.根据上述任意一项权利要求的方法，其特征在于，第一激光束相对于 产品移动的相对速度大于第二激光束相对于产品移动的相对速度。
7.根据上述任意一项权利要求的方法，其特征在于，第二激光束采用多重形式，同时平滑相对切开的相对切割边缘。
8.根据上述任意一项权利要求的方法，其特征在于，第一和第二激光束结合成一个混合激光束，其结合方式为在混合激光束移动方向上，第二激光束放置在第一激光束之后。
9.根据上述任意一项权利要求的方法，其特征在于，第一激光束基本垂直于要分离产品的加工接触表面。
10.根据上述任意一项权利要求的方法，其特征在于，第二激光束基本平行于要平滑的切割边缘。
11.分离产品的设备，特别是用激光切割方法在半导体电路中，从共同载体分离产品的设备，包括：
激光源以及相对于光源可移动的产品载体，其中，激光源用于产生第一激光束以在产品之间制造切口，第二激光束用于减小切割边缘的表面粗糙度。
12.根据权利要求11的方法，其特征在于，激光源采用单独形式，来相继产生第一和第二激光束。
13.根据权利要求11的方法，其特征在于，激光源采用多重形式，来需要相继或同时产生第一和第二激光束。
14.使用上述权利要求1-10方法对特别是导体中安装在载体上用激光束分离的产品。
15.根据权利要求14的产品，其特征在于，至少部分与产品连接的切割边缘有一部分长度通过第二激光束，其表面粗糙度被减小。
16.根据权利要求14或15的产品，其特征在于，产品的两个相反的切割边缘具有不同的表面粗糙度。
17.根据上述权利要求14-16中任意一项的产品，其特征在于，所述产品是存储卡，特别是产品是转换卡。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
