[发明专利]基于芯片的电磁发射确定关于芯片内部操作的信息的方法

权利要求书

1、一种用于确定集成电路内部操作的方法，包括：

测量来自所述集成电路的电磁发射；并且

分析所述电磁发射。

2、根据权利要求1所述的方法，其中所述测量来自所述集成电路的电磁发射的步骤包括：利用RF探针测量来自所述集成电路的电磁发射。

3、根据权利要求2所述的方法，其中所述测量来自所述集成电路的电磁发射的步骤包括：利用封闭式RF探针测量来自所述集成电路的电磁发射。

4、根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在测量来自所述集成电路的电磁发射的步骤之前，配置所述集成电路。

5、根据权利要求4所述的方法，其中所述配置集成电路的步骤包括：将所述集成电路设置在其正常操作模式下。

6、根据权利要求5所述的方法，其中所述将所述集成电路芯片设置在其正常操作模式下的步骤包括：对所述集成电路供电并提供任何外部时钟信号。

7、根据权利要求4所述的方法，进一步包括：

在测量所述电磁发射的步骤之前，配置所述集成电路；

在测量所述电磁发射的步骤之后，重新配置所述集成电路；并且

在重新配置所述集成电路的步骤之后，重新测量来自所述集成电路的电磁发射。

8、根据权利要求4所述的方法，其中所述配置集成电路的步骤包括：

对所述集成电路供电；并且

使任何外部时钟信号均对所述集成电路无效。

9、根据权利要求8所述的方法，其中所述使任何外部时钟信号对所述集成电路无效的步骤包括：

对所述集成电路断电；

使任何外部时钟信号均对所述集成电路无效；并且

对所述集成电路重新供电。

10、根据权利要求4所述的方法，其中所述配置集成电路的步骤包括：在对所述集成电路供电时，使对所述集成电路无效的外部时钟信号重新有效。

11、根据权利要求4所述的方法，进一步包括：

在测量所述电磁发射的步骤之前，通过对所述集成电路供电并提供任何外部时钟信号来配置所述集成电路；

在测量所述电磁发射的步骤之后，通过对所述集成电路断电、使任何外部时钟信号均对所述集成电路无效以及对所述集成电路重新供电，来重新配置所述集成电路；并且

在重新配置所述集成电路的步骤之后，重新测量来自所述集成电路的电磁发射。

12、根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

紧接着重新测量所述电磁发射的步骤，将所述任何外部时钟信号与所述集成电路重新连接；并且

在重新连接所述任何外部时钟信号的步骤之后，重新测量来自所述集成电路的电磁发射。

13、根据权利要求1所述的方法，其中所述分析电磁发射的步骤包括：确定所述电磁发射是否低于一预定RFI水平。

14、根据权利要求1所述的方法，其中：

所述测量电磁发射的步骤包括：测量在一频率范围内的所述电磁发射的振幅；并且

所述分析电磁发射的步骤包括：识别与大于一预定振幅的振幅对应的频率。

15、根据权利要求14所述的方法，其中所述分析电磁发射的步骤包括：将所识别出的频率和一预定频率组进行比较，以确定所述集成电路的一或多个时钟是否操作正确。

16、根据权利要求1所述的方法，其中所述分析电磁发射的步骤包括：将所识别出的频率和与已知器件相关的频率组进行比较，以确定是否有任何所述已知器件嵌入在所述集成电路中。

17、根据权利要求14所述的方法，进一步包括：

在测量来自所述集成电路的电磁发射的步骤之后，使任何外部时钟信号均对所述集成电路无效；

在所述外部时钟信号被无效时，重新测量来自所述集成电路的电磁发射；

识别所述重新测量的电磁发射中与大于所述预定振幅的振幅对应的频率；并且

将所述测量的电磁发射中的所识别出的频率与所述重新测量的电磁发射中的所识别出的频率进行比较。

18、根据权利要求1所述的方法，其中所述测量电磁发射的步骤包括：测量所述集成电路的若干不同位置处的电磁发射。