[发明专利]RFID标签及其制造方法

权利要求书

1.一种射频识别标签(1，1’)，包括至少一个天线(2，2’)和与天线协同操作的电子标签部件(4)，其中，所述天线(2，2’)和电子标签部件(4)位于公共衬底(3)上，其中，已经去除了被天线(2，2’)包围和未被电子标签部件(4)占据的衬底部分(3b)。

2.根据权利要求1所述的射频识别标签，其中，电子标签部件(4)所在的衬底(3)区域至少部分地与天线(2，2’)所在的衬底区域的一部分相重合。

3.根据权利要求1所述的射频识别标签，其中，被天线(2)包围的有效区域(5)的尺寸超过在射频识别标签(1)中使用的衬底(3)的实际面积。

4.根据权利要求1所述的射频识别标签，其中，电子标签部件(4)包括基于低温多晶硅的电子部件。

5.根据权利要求1所述的射频识别标签，其中，电子标签部件(4)从基于非晶硅的电子部件、基于氢化非晶氮化硅的电子部件、基于硒化镉的电子部件、基于聚合物的电子部件、或用于基于CMOS的电子部件的绝缘体上硅结构/物质上硅结构中的至少一种选出。

6.一种制造射频识别标签(1)的方法，包括制备衬底(3)、将至少一个天线(2，2’)和与天线(2，2’)协同操作的电子标签部件(4)限定在衬底(3)上，并去除被天线(2，2’)包围和未被电子标签部件(4)占据的衬底(3)部分(3b)，以使得被去除的部分仍可用。

7.根据权利要求6所述的制造射频识别标签的方法，其中，天线(2，2’)构造成具有单个或多个窗口构造的框架天线，且其中电子标签部件(4)位于衬底(3)的、至少部分地与天线(2，2’)所在的衬底区域相重合的区域内。

8.根据权利要求6所述的制造射频识别标签的方法，其中，被去除的衬底(3)的所述部分(3b)的面积尺寸超过在射频识别标签(1)中使用的衬底(3)的实际面积。

9.根据权利要求6所述的制造射频识别标签的方法，其中，电子标签部件(4)包括基于低温多晶硅的电子部件。

10.根据权利要求6所述的制造射频识别标签的方法，其中，电子标签部件(4)从基于非晶硅基的电子组件、基于氢化非晶氮化硅的电子部件、基于硒化镉的电子部件、基于聚合物的电子部件、或用于基于CMOS的电子部件的绝缘体上硅结构/物质上硅结构中的至少一种选出。

11.根据权利要求6所述的制造射频识别标签的方法，其中，将其它的射频识别标签(1A、1B、1C)或电子产品(7)限定在将被去除的衬底(3)的所述部分(3b)上。

12.根据权利要求11所述的制造射频识别标签的方法，其中，尺寸依次减小的多重标签(1A、1B、1C)定位于衬底(3)上并且依次一个标签在另一个标签中。