[发明专利]具有多个抗反射涂层的光致抗蚀剂的成像方法

权利要求书

1.光致抗蚀剂的成像方法，包括以下步骤：

a)在基材上形成多个有机抗反射涂层的堆叠体；

b)在该多个有机抗反射涂层的堆叠体的顶层上形成光致抗蚀剂的涂层；

c)用曝光设备将该光致抗蚀剂成像曝光；和

d)用显影剂将该涂层显影。

2.根据权利要求1的方法，其中该曝光设备包括数值孔径大于1的透镜。

3.根据权利要求1或2的方法，其中该曝光设备使用浸渍光刻。

4.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中该多个抗反射涂层的堆叠体包括两个层-底层和顶层。

5.根据权利要求1-4中任一项的方法，其中该涂层的堆叠体中的层具有不同的曝光辐射吸收率。

6.根据权利要求1-5中任一项的方法，其中在多层堆叠体中，底层比顶层吸收更多辐射。

7.根据权利要求1-6中任一项的方法，其中底层具有大于0.3的吸收率k值。

8.根据权利要求1-7中任一项的方法，其中底层具有小于1.2的吸收率k值。

9.根据权利要求1-8中任一项的方法，其中顶层具有大于0.05的吸收率k值。

10.根据权利要求1-9中任一项的方法，其中顶层具有小于0.4的吸收率k值。

11.根据权利要求1-10中任一项的方法，其中多个抗反射涂层的堆叠体反射小于2％的辐射。

12.根据权利要求1-11中任一项的方法，其中该抗反射涂层包含可固化聚合物。

13.根据权利要求12的方法，其中该抗反射涂层包含聚合物、交联剂和酸产生剂。

14.根据权利要求13的方法，其中该酸产生剂是热或光酸产生剂。

15.根据权利要求1-14中任一项的方法，其中成像曝光的辐射小于300nm。

16.根据权利要求1-15中任一项的方法，其中抗反射涂层中的至少一层包含有机硅化合物。

17.根据权利要求1-16中任一项的方法，其中该抗反射涂层是可旋涂的。

18.根据权利要求1-17中任一项的方法，其中该基材选自以下物质中的至少一种：硅、涂有金属表面的硅基材、覆铜的硅晶片、铜、铝、聚合物树脂、二氧化硅、金属、掺杂的二氧化硅、氮化硅、钽、多晶硅、陶瓷、铝/铜混合物、砷化镓、III/V族化合物和它们的混合物。

19.根据权利要求1-18中任一项的方法，其中用显影剂将抗反射涂层中的一层显影。

20.涂层基材，包括：其上涂有多个有机抗反射涂层的堆叠体的基材，和在该多个有机抗反射涂层的堆叠体的顶层上涂覆的光致抗蚀剂。