[发明专利]基板处理方法、记录介质和基板处理装置无效
申请号: | 200680007627.3 | 申请日: | 2006-02-20 |
公开(公告)号: | CN101138076A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 高木俊夫;金子裕是;岩田辉夫;竹山环;柿本明修 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;H01L21/31;C23C16/455 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 记录 介质 装置 | ||
1.一种基板处理方法,其是基板处理装置的基板处理方法,其特征在于:
所述基板处理装置具有:
处理容器,其内部具有支承被处理基板并向该被处理基板上供给第一处理气体或第二处理气体的第一空间和在该第一空间周围形成的、与该第一空间连通的第二空间;
对所述第一空间进行排气的第一排气单元;和
对所述第二空间进行排气的第二排气单元,
所述基板处理方法具有:
将所述第一处理气体供给所述第一空间的第一工序;
从所述第一空间排出该第一处理气体的第二工序;
将所述第二处理气体供给所述第一空间的第三工序;和
从所述第一空间排出所述第二处理气体的第四工序,其中,
所述第二空间的压力由供给到该第二空间的压力调整气体进行调整。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于:
所述处理容器内设置有支承所述被处理基板的可动支承台,所述第一空间和所述第二空间的连通部形成于所述可动支承台的周围。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于:
所述压力调整气体的流量为使得所述第一空间与所述第二空间的压力实质上相同的流量。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于:
所述第一处理气体包含调整所述第一空间的压力的其他的压力调整气体,该其他的压力调整气体的流量为使得所述第一空间与所述第二空间的压力实质上相同的流量。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于:
所述第一空间的压力通过与所述第一排气单元连接的可变电导进行控制。
6.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于:
所述第二空间的压力通过与所述第二排气单元连接的可变电导进行控制。
7.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于:
所述第一处理气体包含含有金属元素的原料气体,所述第二处理气体包含氧化该原料气体的氧化气体。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法,其特征在于:
所述压力调整气体至少在所述第一工序中被供给所述第二空间。
9.一种记录介质,存储有使基板处理装置的基板处理方法执行的程序,其特征在于:
所述基板处理装置具有:
处理容器,其内部具有支承被处理基板并向该被处理基板上供给第一处理气体或第二处理气体的第一空间和在该第一空间周围形成的、与该第一空间连通的第二空间;
对所述第一空间进行排气的第一排气单元;和
对所述第二空间进行排气的第二排气单元,
所述基板处理方法具有:
将所述第一处理气体供给所述第一空间的第一工序;
从所述第一空间排出该第一处理气体的第二工序;
将所述第二处理气体供给所述第一空间的第三工序;和
从所述第一空间排出所述第二处理气体的第四工序,其中,
所述第二空间的压力由供给到该第二空间的压力调整气体进行调整。
10.根据权利要求9所述的记录介质,其特征在于;
所述处理容器内设置有支承所述被处理基板的可动支承台,所述第一空间与所述第二空间的连通部形成于所述可动支承台的周围。
11.根据权利要求9所述的记录介质,其特征在于:
所述压力调整气体的流量为使得所述第一空间与所述第二空间的压力实质上相同的流量。
12.根据权利要求9所述的记录介质,其特征在于:
所述第一处理气体包含调整所述第一空间的压力的其他的压力调整气体,该其他的压力调整气体的流量为使得所述第一空间与所述第二空间的压力实质上相同的流量。
13.根据权利要求9所述的记录介质,其特征在于:
所述第一空间的压力通过与所述第一排气单元连接的可变电导进行控制。
14.根据权利要求9所述的记录介质,其特征在于:
所述第二空间的压力通过与所述第二排气单元连接的可变电导进行控制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造