[发明专利]内存装置使用的译码器

权利要求书

1.一种内存装置使用的译码器(106B)，该译码器包括：

多个驱动装置(212)，每一驱动装置当该内存装置开启时分别施加各自线电压至该内存装置的各自线路；以及

控制装置(220)，连结至该多个驱动装置于公共节点(216)，用以产生于该公共节点的电压来控制这些驱动装置的开启或关闭。

2.如权利要求1所述的译码器，进一步包括：

电容器(222)，连结至该公共节点，其中，储存于该电容器的电荷增加该公共节点的电压，从初始升压电压至最终升压电压。

3.如权利要求2所述的译码器，其中，该电容器为金属氧化物半导体场效晶体管，该金属氧化物半导体场效晶体管的栅极连结至该公共节点，及其漏极与源极相互连结于电容节点(224)。

4.如权利要求3所述的译码器，其中，当该初始升压电压于该公共节点产生时，施加低电压于该电容节点，以及其中当该初始升压电压于该公共节点产生时，每一该驱动装置的各自的该线电压为该低电压，以及其中这些各自的线电压的其中之一为原始升压电压，该原始升压电压亦施加于该电容节点，以于该公共节点产生该最终升压电压。

5.如权利要求1所述的译码器，进一步包括：

多个下拉装置，每一下拉装置当这些驱动装置关闭时分别施加低电压于该内存装置的各自线路。

6.一种驱动于内存装置中的线路的方法，该方法包括：

开启多个驱动装置(212)以分别对该内存装置的多条线路的每一条施加各自线电压；以及

通过调整产生于连结该多个驱动装置的公共节点(216)的电压而控制这些驱动装置的开启或关闭。

7.如权利要求6所述的方法，进一步包括：

储存电荷于连结至该公共节点的电容器(222)，以增加于该公共节点的电压从初始升压电压至最终升压电压。

8.如权利要求7所述的方法，其中，该电容器为金属氧化物半导体场效晶体管，其栅极连结至该公共节点及其漏极与源极相互连结于电容节点(224)。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包括：

当该初始驱动电压于该公共节点产生时，施加低电压于该电容节点。

10.如权利要求9所述的方法，其中，

当该初始升压电压于该公共节点产生时，每一该驱动装置的各自的该线电压为该低电压；以及其中这些各自的线电压的其中之一为原始升压电压，该原始升压电压亦施加于该电容节点，以于该公共节点产生最终升压电压。