[发明专利]用于母版制作的方法和母版基板

权利要求书

1.一种用于在母版基板(12)的记录层叠(10)中提供高密度浮雕结构的方法，特别是用于为批量制造光盘制作压模的母版基板(12)或者用于为微接触印刷产生印模的母版基板，该方法包括以下步骤：

-提供记录层叠(10)，其包括电介质层(14)和用于在该电介质层(14)内支持热量引发的相位过渡的装置(16，18；20；34)；

-在该电介质层(14)的将要通过施加激光脉冲而形成坑/突起(24)的区域(22)中导致热量引发的相位过渡；以及

-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14)的已经经历了相位过渡的区域(22)；或者

-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14)的尚未经历过相位过渡的区域(26)。

2.根据权利要求1的方法，其中，所述用于在所述电介质层(14)内支持热量引发的相位过渡的装置(16，18；20；34)包括设置在该电介质层(14)之上和/或之下的至少一个吸收层(16，18)。

3.根据权利要求1或2的方法，其中，所述用于在所述电介质层(14)内支持热量引发的相位过渡的装置(16，18；20；34)包括掺杂在该电介质层(14)中的掺杂剂(20)。

4.根据权利要求1至3当中的任一条的方法，其中，所述用于在所述电介质层(14)内支持热量引发的相位过渡的装置(16，18；20；34)包括在退火工艺期间在该电介质层内生长的纳米晶体(34)。

5.根据权利要求2或者根据从属于权利要求2时的权利要求3或4的方法，其中，所述吸收层(16)是用从下面的一组中选择的材料制成的：Ni，Cu，GeSbTe，SnGeSb，InGeSbTe，比如Cu-Si或Ni-Si的形成硅化物的材料，比如由晶核形成主导的相变材料的材料组成。

6.根据权利要求1的方法，其中，所述电介质层(14)是ZnS-SiO₂层。

7.根据权利要求1的方法，其中，在所述蚀刻工艺中使用的所述蚀刻剂是从下面的一组中选择的：比如HNO₃、HCl、H₂SO₄之类的酸性溶液，或者比如KOH、NaOH之类的碱性液体。

8.根据权利要求2或者根据从属于权利要求2时的权利要求3或4的方法，其中，在所述蚀刻工艺期间，施加了激光脉冲的所述吸收层(16)的各区域(28)与没有施加激光脉冲的该吸收层(16)的各区域(30)一起被去除。

9.根据权利要求2或者根据从属于权利要求2时的权利要求3或4的方法，其中，在所述蚀刻工艺期间，仅仅位于被去除的所述电介质层(14)的各区域(22)之上的所述吸收层(16)的各区域(28)被去除。

10.根据权利要求2或者根据从属于权利要求2时的权利要求3或4的方法，其中，所述提供记录层叠(10)的步骤包括提供这样一个记录层叠(10)，该记录层叠还包括在所述电介质层(14)之下的镜面层(32)。

11.根据权利要求10的方法，其中，所述镜面层(32)是用从下面的一组中选择的材料制成的：Ag、Al、Si。

12.根据权利要求1的方法，其中，所述提供记录层叠(10)的步骤包括提供这样一个记录层叠(10)，该记录层叠包括在所述电介质层之上的吸收层(16)以及在该电介质层(14)之下的另一个吸收层(18)。

13.根据权利要求12的方法，其中，所述提供记录层叠(10)的步骤包括提供这样一个记录层叠(10)，该记录层叠还包括在所述另一个吸收层(18)之下的另一个电介质层(36)。

14.根据权利要求1的方法，其中，所述提供记录层叠(10)的步骤包括提供这样一个记录层叠(10)，该记录层叠还包括覆盖层(38)。

15.根据权利要求14的方法，其中，所述覆盖层(38)由可蚀刻的电介质层制成。

16.根据权利要求3的方法，其中，所述掺杂剂(20)是从下面的一组中选择的：N、Sb、Ge、In、Sn。