[发明专利]挡板晶圆及其所用的随机定向多晶硅

权利要求书

1.一种用于填充多晶圆支撑固定件的非生产沟槽的挡板晶圆，至少包含一晶圆，其中该晶圆包含多晶硅且具有实质上等于硅生产晶圆的直径的直径。

2.根据权利要求1所述的挡板晶圆，其中该多晶硅具有实质上随机定向的结晶态。

3.根据权利要求2所述的挡板晶圆，其中该直径选自200毫米与300毫米。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的挡板晶圆，其中该多晶硅为Czochralski(CZ)多晶硅。

5.根据权利要求4所述的挡板晶圆，其中该多晶硅为CVD来源CZ多晶硅。

6.一种大体上由实质上随机定向多晶硅所组成的衬底。

7.根据权利要求6所述的衬底，其中该衬底为圆形。

8.根据权利要求7所述的衬底，其中该衬底具有选自200毫米与300毫米的直径。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的衬底，其中该多晶硅为Czochralski(CZ)多晶硅。

10.根据权利要求9所述的衬底，其中该多晶硅为CVD来源CZ多晶硅。

11.一种成长多晶硅的方法，至少包含下列步骤：

施用实质上随机定向的多晶硅晶种至硅熔体，使得该硅熔体的部份凝结在该晶种上；以及

自该熔体拉引出该晶种以及黏附的凝结硅熔体。

12.根据权利要求11所述的方法，其中该晶种至少包含纯多晶硅。

13.根据权利要求11所述的方法，该方法更包含通过化学气相沉积来成长该晶种。

14.根据权利要求11所述的方法，其中该随机定向多晶硅晶种至少包含一CVD来源多晶硅晶种。

15.根据权利要求11所述的方法，其中该晶种为后续晶种，并且该方法更包含：

施用实质上随机定向多晶硅先前晶种至硅熔体，使得该硅熔体的部份凝结在该先前晶种上；

自该熔体拉引出该先前晶种以及黏附的凝结硅熔体，以形成一块体；以及

自该块体切割出该后续晶种。

16.一种可以作为结构构件的多晶硅材料，至少包含随机定向多晶硅，其具有原则上低于1毫米的尺寸分布。

17.根据权利要求16所述的多晶硅材料，其中该随机定向多晶硅至少包含Czochralski(CZ)多晶硅，其具有符合以CVD来源晶种所成长的CZ多晶硅的微晶尺寸与形状，其中该CVD来源晶种具有原则上低于10毫米的尺寸分布。

18.一种热处理硅晶圆的方法，至少包含执行于第一周期中的下列步骤：

在支撑塔的多个第一沟槽中设置至少一生产晶圆，这些生产晶圆至少实质上包含单晶硅；

在该支撑塔的多个第二沟槽中设置至少一挡板晶圆，这些挡板晶圆至少包含多晶硅：以及

加热支撑固定件与所支撑的生产与挡板晶圆，以热处理该至少一生产晶圆。

19.根据权利要求18所述的方法，其中该至少一挡板晶圆至少包含实质上未掺杂的多晶硅，并且该方法更包含将多个热缓冲晶圆设置在朝着该支撑塔一端而被这些第二沟槽隔开这些第一沟槽的沟槽中，这些热缓冲晶圆至少包含不是未掺杂的多晶硅的材料。

20.根据权利要求19所述的方法，其中这些热缓冲晶圆的材料至少包含石英或碳化硅。

21.根据权利要求18所述的方法，其中这些热缓冲晶圆的材料至少包含掺杂的多晶硅。

22.根据权利要求18所述的方法，其中该支撑塔为硅塔，并且该方法更包含：

将该硅塔与其所支撑的生产及挡板晶圆设置在炉管中，该炉管包括围绕该支撑塔的横向侧的硅衬里；

加热支撑在该塔上的生产与挡板晶圆至提升的温度；以及

将制程气体流动通过至少一硅注射器，以与在衬里内的该炉管的热区中的这些生产晶圆反应，其中这些硅注射器具有位于该塔与该衬里之间的出口。

23.根据权利要求22所述的方法，其中该塔、该衬里、该至少一注射器以及在该热区中的这些挡板晶圆实质上不包含除了硅以外的材料。